"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe, изготовленных электрохимическим методом
Абдинов А.Ш.1, Мехтиев Н.М.1, Мамедов Г.М.1, Амирова С.И.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Методом электрохимического осаждения изготовлены солнечные элементы на основе гетеропереходов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe. Изучены зависимости их электрических и фотоэлектрических свойств от режима термической обработки. Показано, что термическая обработка снижает туннельные токи почти на 2 порядка величины. Определен оптимальный режим термической обработки (t=300oC и tau=9 мин), при котором обеспечивается максимальная фоточувствительность исследуемых гетеропереходов (Isc~ 21.2 мА/см2, Uoc~813 мВ, eta=14.7%). PACS: 84.60.Jt; 82.45.Qr
  1. K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Halliday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
  2. M.A. Green. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 9, 123 (2001)
  3. Г.С. Хрипунов. ФТП, 39, 1266 (2005)
  4. P.R. Edwards, S.A. Galloway, K. Durose. Thin Sol. Films, 372, 385 (2000)
  5. T.M. Razykov, B.Kh. Kadyrov, M.A. Khodyaeva. Phys. Status Solidi A, 91, 87 (1985)
  6. Г.М. Мамедов, Г.А. Гасанов, С.И. Амирова. Неорг. матер., 41, 276 (2005)
  7. A.Sh. Abdinov, N.M. Mamedov, H.A. Hasanov, S.I. Amirova. Thin Sol. Films, 480--481, 388 (2005)
  8. N. Suyama, T. Arita, Y. Nishiyama, N. Ueno, S. Kitamura, M. Morono. Conf. Record 26th IEEE Photovolt. Specialist Conference (Anaheim, USA, 1997) p. 419
  9. Б.Л. Шарма, Р.Л. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Радио и связь, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.