"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термического отжига на чувствительность кремниевых МОП диодов к восстановительным газам
Балюба В.И.1, Грицык В.Ю.1, Давыдова Т.А.1, Калыгина В.М.1, Назаров С.С.1, Панин А.В.2, Хлудкова Л.С.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Исследовано влияние термического отжига в интервале 200-610oC на чувствительность и временные зависимости отклика диодов Pd-SiO2-n-Si к водороду и аммиаку. Поверхность Pd-электрода после отжига исследовалась с помощью атомно-силовой микроскопии. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики на воздухе и в газовых смесях H2/воздух и NH3/воздух. Показано, что после отжига при 200oC в течение 10 мин отклик емкости диодов на водород выше отклика на аммиак. После отжига при 300oC и более высоких температурах чувствительность МОП диодов к водороду практически исчезает, в то время как отклик на аммиак все еще остается высоким, хотя постепенно уменьшается с повышением температуры отжига. Снижение чувствительности диодов Pd-SiO2-n-Si к аммиаку с повышением температуры отжига объясняется ухудшением электрических характеристик Pd-электрода. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Ef, 85.30.Kk
  1. I. Lundstrom, M. Armgarth, A. Spetz, F. Winquist. Sens. Actuators, 10, 399 (1986)
  2. L.-G. Peterson, H.M. Dannetun, J. Fogelberg, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 58, 404 (1985)
  3. D. Filippini, L. Fraigi, R. Aragon, U. Weimar. Sens. Actuators B, 81, 296 (2002)
  4. В.И. Гаман, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 46 (4), 3 (2003)
  5. A. Karthigeyan, R.P. Gupta, K. Scharnagl, M. Burmair, S.K. Sharma, I. Eisele. Sens. Actuators B, 85, 145 (2002)
  6. В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 42 (9), 3 (1999)
  7. В.И. Балюба, В.Ю. Грицык, Т.А. Давыдова, В.М. Калыгина, С.С. Назаров, Л.С. Хлудкова. ФТП, 39, 285 (2005)
  8. H. Wingbrant, I. Lundstrom, A. Lloyd Spetz. Sens. Actuators B, 93, 286 (2003)
  9. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  10. Г.А. Саров, Д. Кукуринков, А. Шопов. Сб. докл. Юбил. науч.-техн. конф. (Ботевград, 1987) с. 158
  11. Ю.А. Гольдберг. ЖТФ, 66, 174 (1996)
  12. T. Myrtveit. J. Appl. Phys., 78, 7170 (1995)
  13. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  14. T. Fare, A. Spetz, M. Armgarth, I. Lundstrom. Sens. Actuators, 14, 369 (1988)
  15. J.F. Ross, I. Robbins, B.C. Webb. Sens. Actuators, 11, 73 (1987)
  16. A. Spetz, M. Armgarth, I. Lundstrom. Sens. Actuators, 11, 349 (1987)
  17. В.П. Козленков, И.Н. Николаев, Д.Г. Ставкин. Поверхность, N 2, 67 (1994)
  18. H. Hu, M. Trejo, M.E. Nicho, J.M. Saniger, A. Garcia-Valenzuela. Sens. Actuators B, 82, 14 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.