"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs
Чалдышев В.В.1, Школьник А.С.1, Евтихиев В.П.1, Holden T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Brooklyn College of the City University of New York, USA
Поступила в редакцию: 25 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

В диапазоне энергий фотонов от 1 до 2 эВ проведены исследования оптического отражения и электроотражения от слоев AlGaAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs различной толщины. Установлено, что спектральная зависимость коэффициента отражения содержит три основных вклада: отражение от границы воздух-среда; интерференционное отражение, обусловленное периодической модуляцией коэффициента преломления из-за различий его значений для материалов ям и барьеров; отражение, связанное с взаимодействием электромагнитных волн с экситонными состояниями в квантовых ямах. Исследование спектров отражения показало, что эти вклады имеют различные зависимости от температуры, угла падения и поляризации, однако количественное разделение различных вкладов весьма затруднительно. Для выделения в оптических спектрах вклада, обусловленного взаимодействием света с экситонными состояниями, разработан подход на основе бесконтактного измерения спектров оптического электроотражения. Показано, что применение такой методики позволяет определить параметры экситонных состояний в квантовых ямах. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg, 78.40.Fy
  1. E.L. Ivchenko. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures (Alpha Science International, Harrow, UK, 2005)
  2. Е.Л. Ивченко, А.И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ, 36, 2118 (1994)
  3. В.А. Кособукин, М.М. Моисеева. ФТТ, 37, 3694 (1995)
  4. Е.Л. Ивченко, В.П. Кочерешко, А.В. Платонов, Д.Р. Яковлев, А. Вааг, В. Оссау, Г. Ландвер. ФТТ, 39, 2072 (1997)
  5. E.L. Ivchenko, M. Willander. Phys. Status Solidi B, 215, 199 (1999)
  6. L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 62, 4242 (2000)
  7. T. Ikawa, K. Cho. Phys. Rev. B, 66, 85 338 (2002)
  8. L. Pilozzi, A. D'Andrea, K. Cho. Phys. Rev. B, 69, 205 311 (2004)
  9. M.M. Voronov, M.V. Erementchouk, L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 70, 195 106 (2004)
  10. V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, E.L. Ivchenko, D.R. Yakovlev, A. Waag, W. Ossau, G. Landwehr, R. Hellmann, E.O. Gobel. Superlatt. Microstruct., 15, 471 (1994)
  11. Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, H. Mariette, T. Dietl. Phys. Rev. B, 54, 14 003 (1996)
  12. J. Sadowski, H. Mariette, A. Wasiela, R. Andre, Y. Merle d'Aubigne, T. Dietl. Phys. Rev. B, 56, 1664 (1997)
  13. M. Hubner, J. Kuhl, T. Stroucken, A. Knorr, S.W. Koch, R. Hey, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 76, 4199 (1996)
  14. C. Ell, J. Prineas, T.R. Nelson, jr., S. Park, H.M. Gibbs, G. Khitrova, S.W. Koch. Phys. Rev. Lett., 80, 4795 (1998)
  15. G.R. Hayes, J.L. Staehli, U. Oesterle, B. Deveaud, R.T. Phillips, C. Ciuti. Phys. Rev. Lett., 83, 2837 (1999)
  16. J.P. Prineas, C. Ell, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 61, 13 863 (2000)
  17. V.P. Evtikhiev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin, A.S. Shkolnik, E.L. Ivchenko, V.V. Chaldyshev, L.I. Deych, A.A. Lisyansky, D.R. Yakovlev, M. Bayer. 13-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2005)
  18. М. Борн, Б. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
  19. F.H. Pollak. In: Properties of III--V Quantum Wells and Superlattices: EMI Data Reviews Series, ed. by P. Bhattacharya (INSPEC, London, 1996) p. 232
  20. М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М., Мир, 1972)
  21. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.