Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах
Галиев Г.Б.1, Васильевский И.С.1,2, Климов Е.А.1, Мокеров В.Г.1, Черечукин А.А.1
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,, ГСП-2 Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
Экспериментально исследовано влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газа mue в односторонне delta-легированных псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторных структурах с высокой подвижностью электронов. С помощью самосогласованного расчета проанализирована зонная диаграмма. Для исследования электронных транспортных свойств выбрана оптимальная структура, в которой отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. Показано, что в оптимизированных структурах с увеличением температуры роста от 590 до 610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижность mue увеличивается на 53% при T=300 K и на 69% при T=77 K. Предполагается, что это связано с улучшением структурного совершенства спейсерного слоя AlGaAs и гетерограницы AlGaAs/InGaAs/GaAs. PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61. Ey
- Y. Chou, G.P. Li, Y.C. Chen, C.S. Wu, K.K. Yu, T.A. Midford. IEEE Electron. Dev. Lett., 17, 479 (1996)
- Y. Habbad, D. Deveaud, H.-J. Buhlmain, M. Ilegems. J. Appl. Phys., 78, 2509 (1995)
- C.S. Wu, F. Ren, S.J. Pearton, M. Hu, C.K. Pao, R.F. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 42, 1419 (1995)
- C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Trans. Electron. Dev., 26, 533 (2005)
- M.T. Yang, Y.J. Chan, C.H. Chen, J.I. Chyi, R.M. Lin, J.L. Shien. J. Appl. Phys., 76, 2494 (1994)
- P.W. Yu, B. Jogai, T.J. Rogers, P.A. Martin, J.M. Ballingall. J. Appl. Phys., 76, 7535 (1994)
- X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
- X. Cao, Y. Zheng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu, X. Wang, Y. Chang, J. Chu. J. Cryst. Growth, 231, 520 (2001)
- X. Cao, Y. Zheng, L. Cui, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. J. Cryst. Growth., 227--228, 127 (2001)
- D.C. Look, B. Jogai, C.E. Stutz, R.E. Sherriff, G.C. De Salvo, T.J. Rogers, J.M. Ballingall. J. Appl. Phys., 76, 328 (1994)
- K.T. Chan, M.J. Lightner, G.A. Patterson, K.M. Yu. Appl. Phys. Lett., 56, 2022 (1990)
- H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 75, 3908 (1994)
- K.J. Chao, N. Liu, C.K. Shin. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)
- Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров. Микроэлектроника, 35 (2), 67 (2006)
- A. Leuthery, A. Forstery, H. Lethy, H. Holzbrecherz, U. Breuer. Semicond. Sci. Technol., 11, 766 (2000)
- T.N. Chen, Y.S. Huang, T.S. Shou, K.K. Tiong, D.Y. Lin, F.H. Pollak, M.S. Goorsky, D.C. Streit, M. Wojtowicz. Physica E, B, 297 (2000)
- T. Unuma, T. Takahashi, T. Noda, M. Yoshita, H. Sakaki, M. Baba, H. Akiyama. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук