"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах
Галиев Г.Б.1, Васильевский И.С.1,2, Климов Е.А.1, Мокеров В.Г.1, Черечукин А.А.1
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,, ГСП-2 Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Экспериментально исследовано влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газа mue в односторонне delta-легированных псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторных структурах с высокой подвижностью электронов. С помощью самосогласованного расчета проанализирована зонная диаграмма. Для исследования электронных транспортных свойств выбрана оптимальная структура, в которой отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. Показано, что в оптимизированных структурах с увеличением температуры роста от 590 до 610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижность mue увеличивается на 53% при T=300 K и на 69% при T=77 K. Предполагается, что это связано с улучшением структурного совершенства спейсерного слоя AlGaAs и гетерограницы AlGaAs/InGaAs/GaAs. PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61. Ey
  1. Y. Chou, G.P. Li, Y.C. Chen, C.S. Wu, K.K. Yu, T.A. Midford. IEEE Electron. Dev. Lett., 17, 479 (1996)
  2. Y. Habbad, D. Deveaud, H.-J. Buhlmain, M. Ilegems. J. Appl. Phys., 78, 2509 (1995)
  3. C.S. Wu, F. Ren, S.J. Pearton, M. Hu, C.K. Pao, R.F. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 42, 1419 (1995)
  4. C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Trans. Electron. Dev., 26, 533 (2005)
  5. M.T. Yang, Y.J. Chan, C.H. Chen, J.I. Chyi, R.M. Lin, J.L. Shien. J. Appl. Phys., 76, 2494 (1994)
  6. P.W. Yu, B. Jogai, T.J. Rogers, P.A. Martin, J.M. Ballingall. J. Appl. Phys., 76, 7535 (1994)
  7. X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
  8. X. Cao, Y. Zheng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu, X. Wang, Y. Chang, J. Chu. J. Cryst. Growth, 231, 520 (2001)
  9. X. Cao, Y. Zheng, L. Cui, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. J. Cryst. Growth., 227--228, 127 (2001)
  10. D.C. Look, B. Jogai, C.E. Stutz, R.E. Sherriff, G.C. De Salvo, T.J. Rogers, J.M. Ballingall. J. Appl. Phys., 76, 328 (1994)
  11. K.T. Chan, M.J. Lightner, G.A. Patterson, K.M. Yu. Appl. Phys. Lett., 56, 2022 (1990)
  12. H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 75, 3908 (1994)
  13. K.J. Chao, N. Liu, C.K. Shin. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)
  14. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров. Микроэлектроника, 35 (2), 67 (2006)
  15. A. Leuthery, A. Forstery, H. Lethy, H. Holzbrecherz, U. Breuer. Semicond. Sci. Technol., 11, 766 (2000)
  16. T.N. Chen, Y.S. Huang, T.S. Shou, K.K. Tiong, D.Y. Lin, F.H. Pollak, M.S. Goorsky, D.C. Streit, M. Wojtowicz. Physica E, B, 297 (2000)
  17. T. Unuma, T. Takahashi, T. Noda, M. Yoshita, H. Sakaki, M. Baba, H. Akiyama. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.