Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диффузия тербия в кремнии
Назыров Д.Э.1
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 20 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Исследована диффузия тербия в кремнии в интервале температур 1100-1250oC с использованием впервые прямого метода - метода радиоактивных изотопов. Установлены диффузионные параметры тербия в кремнии. PACS: 61.72.Tt; 66.30.Jt; 81.40.Ef
- Д.Э. Назыров, А.Р. Регель, Г.С. Куликов. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Л., N 1122, 1987)
- Н.А. Соболев. ФТП, 29 (7), 1153 (1995)
- В.В. Агеев, Н.С. Аксенова, В.Н. Коковина, Е.П. Трошина. Изв. ЛЭТИ, 211, 80 (1977)
- В.А. Усков, А.И. Родионов, Г.Т. Власенко, А.Б. Федотов. В кн.: Легированные полупроводниковые материалы (М., Наука, 1985) с. 80
- Д.Э. Назыров, В.П. Усачева, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. Письма ЖТФ, 14 (12), 1102 (1988)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
- W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. Diffusion in Crystalline Solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick (N. Y., 1984) p. 76
- А.И. Борисенко, Ю.М. Волокобинский, В.Н. Коковина, Е.П. Трошина, Л.Ф. Чепик, Т.Н. Фролова. ДАН СССР. Сер. физ. химия, 262 (6), 1409 (1982)
- Г.К. Азимов, С. Зайнабидинов, Д.Э. Назыров. ФТП, 23 (3), 556 (1989)
- Д.Э. Назыров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТП, 25 (9), 1653 (1991)
- Д.Э. Назыров. ФТП, 37 (5), 570 (2003)
- Д.Э. Назыров. ФТП, 37 (9), 1056 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
