"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP
Бойко В.М.1, Бублик В.Т.2, Воронова М.И.2, Колин Н.Г.1, Меркурисов Д.И.1, Щербачев К.Д.2
1Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Представлены результаты исследования характера влияния облучения быстрыми и полным спектром реакторных нейтронов и последующих термообработок на структурные характеристики монокристаллов InP. Показано, что в отличие от других полупроводниковых соединений AIIIBV в монокристаллах InP при облучении нейтронами период решетки уменьшается. Основной вклад в изменение периода решетки вносят быстрые нейтроны. Наличие составляющей тепловых нейтронов, приводящих к образованию в материале атомов Sn, не вызывает существенного изменения периода решетки. Термообработка облученных образцов до температуры порядка 600oC приводит к отжигу радиационных дефектов и восстановлению периода решетки, а при больших флюенсах нейтронов период решетки становится больше, чем до облучения. Анализ полученных экспериментальных результатов позволил сделать предположение о том, что уменьшение периода решетки в InP при облучении нейтронами вызвано в основном образовавшимися антиструктурными дефектами PIn, вызывающими в данном случае эффект, аналогичный вакансионным дефектам. PACS: 61.66.-f, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 81.40.Wx, 81.40.Gh
  1. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников, под ред. В.Н. Мордковича (М., Мир, сер. Новости ФТТ, вып. 11, 1982) 270 с
  2. Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций (Новосибирск, Наука, 1981)
  3. Н.Г. Колин, С.П. Соловьев, А.А. Стук. Изв. вузов. Ядерная энергетика, 2-3, 98 (1994)
  4. Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 12 (2003)
  5. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18 (12), 2187 (1984)
  6. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 20 (5), 822 (1986)
  7. В.Н. Брудный, Н.В. Каменская, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 7, 99 (1991)
  8. V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnyak, Sh.M. Rusimov, V.A. Charchenko. Phys. Status Solidi A, 93, 195 (1986)
  9. V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Phys. Status Solidi A, 132, 35 (1992)
  10. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. ФТП, 34 (2), 157 (2000)
  11. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. ФТП, 34 (2), 153 (2000)
  12. Н.Г. Колин, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, Н.И. Ярмолюк. Физ.-хим. обработка материалов, 3, 28 (1987)
  13. В.Т. Бублик, М.Г. Мильвидский. Материаловедение, 1, 21 (1997)
  14. В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, Е.А. Комарницкая. Кристаллография, 44 (6), 1106 (1999)
  15. В.Т. Бублик, С.Ю. Мацнев, К.Д. Щербачев, М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник. ФТТ, 45 (10), 1825 (2003)
  16. К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, А.В. Курипятник, В.Н. Мордкович, Д.М. Пажин. Изв. вузов. Материалы электронной техники, 1, 66 (2003)
  17. K.D. Chtcherbatchev, V.T. Bublik, A.S. Markevich, V.N. Mordkovich, E. Alves, N.P. Barradas, A.D. Sequeira. J. Phys. D, 36, A143 (2003)
  18. А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский. Кристаллография, 28 (4), 776 (1983)
  19. L.A. Charniy, K.D. Scherbatchev, V.T. Bublik. Phys. Status Solidi A, 128 (2), 303 (1991)
  20. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)
  21. H. Trinkaus. Phys. Status Solidi B, 51, 307 (1972)
  22. И.М. Котина, В.В. Курятков, Г.Н. Мосина, С.Р. Новиков, Л.М. Сорокин. ФТТ, 26 (2), 436 (1984)
  23. А.В. Марков, В.Т. Бублик, М.И. Воронова, К.Д. Щербачев. Поверхность, 10, 39 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.