Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP
Бойко В.М.1, Бублик В.Т.2, Воронова М.И.2, Колин Н.Г.1, Меркурисов Д.И.1, Щербачев К.Д.2
1Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Представлены результаты исследования характера влияния облучения быстрыми и полным спектром реакторных нейтронов и последующих термообработок на структурные характеристики монокристаллов InP. Показано, что в отличие от других полупроводниковых соединений AIIIBV в монокристаллах InP при облучении нейтронами период решетки уменьшается. Основной вклад в изменение периода решетки вносят быстрые нейтроны. Наличие составляющей тепловых нейтронов, приводящих к образованию в материале атомов Sn, не вызывает существенного изменения периода решетки. Термообработка облученных образцов до температуры порядка 600oC приводит к отжигу радиационных дефектов и восстановлению периода решетки, а при больших флюенсах нейтронов период решетки становится больше, чем до облучения. Анализ полученных экспериментальных результатов позволил сделать предположение о том, что уменьшение периода решетки в InP при облучении нейтронами вызвано в основном образовавшимися антиструктурными дефектами PIn, вызывающими в данном случае эффект, аналогичный вакансионным дефектам. PACS: 61.66.-f, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 81.40.Wx, 81.40.Gh
- Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников, под ред. В.Н. Мордковича (М., Мир, сер. Новости ФТТ, вып. 11, 1982) 270 с
- Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций (Новосибирск, Наука, 1981)
- Н.Г. Колин, С.П. Соловьев, А.А. Стук. Изв. вузов. Ядерная энергетика, 2-3, 98 (1994)
- Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 12 (2003)
- Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18 (12), 2187 (1984)
- Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 20 (5), 822 (1986)
- В.Н. Брудный, Н.В. Каменская, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 7, 99 (1991)
- V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnyak, Sh.M. Rusimov, V.A. Charchenko. Phys. Status Solidi A, 93, 195 (1986)
- V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Phys. Status Solidi A, 132, 35 (1992)
- Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. ФТП, 34 (2), 157 (2000)
- Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. ФТП, 34 (2), 153 (2000)
- Н.Г. Колин, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, Н.И. Ярмолюк. Физ.-хим. обработка материалов, 3, 28 (1987)
- В.Т. Бублик, М.Г. Мильвидский. Материаловедение, 1, 21 (1997)
- В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, Е.А. Комарницкая. Кристаллография, 44 (6), 1106 (1999)
- В.Т. Бублик, С.Ю. Мацнев, К.Д. Щербачев, М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник. ФТТ, 45 (10), 1825 (2003)
- К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, А.В. Курипятник, В.Н. Мордкович, Д.М. Пажин. Изв. вузов. Материалы электронной техники, 1, 66 (2003)
- K.D. Chtcherbatchev, V.T. Bublik, A.S. Markevich, V.N. Mordkovich, E. Alves, N.P. Barradas, A.D. Sequeira. J. Phys. D, 36, A143 (2003)
- А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский. Кристаллография, 28 (4), 776 (1983)
- L.A. Charniy, K.D. Scherbatchev, V.T. Bublik. Phys. Status Solidi A, 128 (2), 303 (1991)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)
- H. Trinkaus. Phys. Status Solidi B, 51, 307 (1972)
- И.М. Котина, В.В. Курятков, Г.Н. Мосина, С.Р. Новиков, Л.М. Сорокин. ФТТ, 26 (2), 436 (1984)
- А.В. Марков, В.Т. Бублик, М.И. Воронова, К.Д. Щербачев. Поверхность, 10, 39 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук