"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением
Рембеза С.И.1, Рембеза Е.С.2, Свистова Т.В.1, Борсякова О.И.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Приведены результаты исследований электрофизических свойств тонких пленок SnO2, полученных методом реактивного магнетронного напыления. Исследована кристаллизация пленок под действием интенсивного некогерентного импульсного светового излучения с помощью промышленной установки УОЛ.П-1. Показано, что кратковременный импульсный отжиг в течение долей секунды приводит к кристаллизации пленки и высоким значениям ее газовой чувствительности. Установлено, что характер взаимодействия с газами поликристаллической пленки, обработанной изотермически, аналогичен особенностям взаимодействия газов с пленками, кристаллизованными импульсным отжигом. PACS: 81.40.Tv, 81.40.Wx, 61.80.Ba
  1. J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Coles. Meas. Sci. Technol., 4, 711 (1993)
  2. W. Gopel, K.D. Schierbaum. Sens. Actuators, B26-27, 1 (1995)
  3. S.R. Morrison. Sens. Actuators, B2, 329 (1982)
  4. E.S. Rembeza, O. Richard, J. Van Landuyt. Mater. Res. Bull., 34 (10/11), 1527 (1999)
  5. С.И. Рембеза, Т.В. Свистова, Е.С. Рембеза, О.И. Борсякова. ФТП, 35 (7), 796 (2001)
  6. С.Б. Кущев, В.Н. Санин. Вестн. ВГТУ. Сер. Материаловедение (Воронеж, Изд-во ВГТУ, 1998) вып. 1.3, с. 66
  7. D. Kohl. Sens. Actuators, B18, 71 (1989)
  8. N. Barsan. Sens. Actuators, B17, 241 (1995)
  9. S.I. Rembeza, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, O.I. Borsiakova. Phys. Status Solidi (A), 179, 147 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.