Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физические свойства пленок SnO₂, обработанных некогерентным импульсным излучением

Рембеза С.И.¹, Рембеза Е.С.², Свистова Т.В.¹, Борсякова О.И.¹

¹Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия Voronezh State Technical University, Voronezh, Russia

²Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 12 апреля 2005 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований электрофизических свойств тонких пленок SnO₂, полученных методом реактивного магнетронного напыления. Исследована кристаллизация пленок под действием интенсивного некогерентного импульсного светового излучения с помощью промышленной установки УОЛ.П-1. Показано, что кратковременный импульсный отжиг в течение долей секунды приводит к кристаллизации пленки и высоким значениям ее газовой чувствительности. Установлено, что характер взаимодействия с газами поликристаллической пленки, обработанной изотермически, аналогичен особенностям взаимодействия газов с пленками, кристаллизованными импульсным отжигом. PACS: 81.40.Tv, 81.40.Wx, 61.80.Ba

J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Coles. Meas. Sci. Technol., 4, 711 (1993)
W. Gopel, K.D. Schierbaum. Sens. Actuators, B26-27, 1 (1995)
S.R. Morrison. Sens. Actuators, B2, 329 (1982)
E.S. Rembeza, O. Richard, J. Van Landuyt. Mater. Res. Bull., 34 (10/11), 1527 (1999)
С.И. Рембеза, Т.В. Свистова, Е.С. Рембеза, О.И. Борсякова. ФТП, 35 (7), 796 (2001)
С.Б. Кущев, В.Н. Санин. Вестн. ВГТУ. Сер. Материаловедение (Воронеж, Изд-во ВГТУ, 1998) вып. 1.3, с. 66
D. Kohl. Sens. Actuators, B18, 71 (1989)
N. Barsan. Sens. Actuators, B17, 241 (1995)
S.I. Rembeza, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, O.I. Borsiakova. Phys. Status Solidi (A), 179, 147 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель