"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние обработки кремния в атомарном водороде на образование локальных областей плавления при импульсном световом облучении
Захаров М.В.1, Кагадей В.А.2, Львова Т.Н.1, Нефедцев Е.В.2, Оскомов К.В.2, Проскуровский Д.И.2, Романенко С.В.2, Фаттахов Я.В.1, Хайбуллин И.Б.1
1Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцов Si и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки в атомарном водороде с экспозиционной дозой менее 2.7·1017 см-2 не приводит к изменению количества дефектов в Si, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более 3.6·1018 см-2 существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностью Si. PACS: 68.35.Bs, 82.30.Wt
  1. K. Sasaki, H. Tomoda, T. Takada. Vacuum, 51 (4), 537 (1998)
  2. S.M. Myers, M.I. Baskes, H.K. Birnbaum, J.W. Corbett, G.G. De Leo, S.K. Estreicher, E.E. Haller, P. Jena, N.M. Johnson, R. Kirchheim, S.J. Pearton, M. Stavola. Rev. Mod. Phys., 64 (2), 559 (1992)
  3. И.А. Айзенберг, И.Р. Москвина, С.В. Носенко, В.Ж. Розенфланц, А.М. Трояновский, В.С. Эдельман. Поверхность. Физика, химия, механика, N 11, 96 (1990)
  4. J.S. Montgomery, T.P. Schneider, R.J. Carter, J.P. Barnak. Appl. Phys. Lett., 67 (15), 2194 (1995)
  5. P. Asoka-Kumar, H.J. Stein, K.G. Lynn. Appl. Phys. Lett., 64 (13), 1684 (1994)
  6. S.J. Jeng, G.S. Oehrlein, G.J. Scilla. Appl. Phys. Lett., 53 (18), 1735 (1988)
  7. Ki-Hyun Hwang, Euijoon Yoon, Ki-Wong Whang, Jeong Yong Lee. Appl. Phys. Lett., 67 (24), 3590 (1995)
  8. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32 (11), 1343 (1998)
  9. В.А. Кагадей, Е.Ф. Нефедцев, Д.И. Проскуровский, С.В. Романенко, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 29 (1), 27 (2003)
  10. В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Д.И. Проскуровский, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 26 (7), 1 (2000)
  11. R.A. Ditizio, G. Liu, S.J. Fonash, B.-C. Hseih, D.W. Greve. Appl. Phys. Lett., 56 (12), 1140 (1990)
  12. T. Hsu, B. Anthony, R. Qian, J. Irby, S. Banerjee, A. Tasch, S. Lin, H. Marcus, C. Magee. J. Electron. Mater., 20 (3), 279 (1991)
  13. С.И. Верходанов, Н.Н. Герасименко, А.М. Мясников. Поверхность. Физика, химия, механика, N 5, 69, (1998)
  14. В.И. Емельянов, П.К. Кашкаров, Н.Г. Чеченин, Т. Дитрих. ФТТ, 30 (8), 2259 (1998)
  15. Я.В. Фаттахов, Р.М. Баязитов, М.Ф. Галяутдинов, И.Б. Хайбуллин, Т.Н. Львова, Е.А. Еремин. Изв. АН. Сер. физ., 59 (12), 136 (1995)
  16. V.A. Kagadei, D.I. Proshurovsky. Vac. Sci. Technol. A, 16 (4), 2556 (1998)
  17. Я.В. Фаттахов, И.Б. Хайбуллин, Р.М. Баязитов, Е.М. Мисюрев, Р. Гретчел. Поверхность. Физика, химия, механика, N 11, 61 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.