"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe
Власенко А.И.1, Власенко З.К.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

На основе исследований структурных и фотоэлектрических свойств варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe установлено, что металлургическая граница материалов, располагающаяся в толще структуры, обогащена структурными дефектами и характеризуется повышенным темпом рекомбинации. Это является причиной потери фоточувствительности в средневолновом инфракрасном диапазоне широкополосных спектров фотопроводимости таких гетеросистем. При малых толщинах эпитаксиального слоя (<10-20 мкм) влияние металлургической границы может проявляться в уменьшении или полной потере фоточувствительности. PACS: 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.61.Ga
  1. Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., Изд-во МФТИ, 1999)
  2. В.В. Бузук, А.В. Гусаченко, П.В. Журавлев, Ю.А. Клевцов, Г.И. Косолапов, С.И. Лепин, В.А. Моисеев, Ю.Ф. Однолько, А.С. Терехов, Е.А. Терешин, С.М. Чурилов, В.Н. Федоринин, К.П. Шатунов. 16-я Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., 2000) с. 26
  3. Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники (Киев, Вища шк., 1989) с. 97
  4. I.V. Kurilo, I.O. Rudyi, O.I. Vlasenko. J. Cryst. Growth, 204 (4), 447 (1999)
  5. А.И. Власенко, З.К. Власенко, И.В. Курило, И.Е. Лопатинский, И.А. Рудый, А.В. Ляшенко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 39, 48 (2004)
  6. Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-IV-=/SUP=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986) гл. 8, с. 278
  7. O.N. Tufte, E.L. Stelzer. J. Appl. Phys., 40 (11), 4559 (1969)
  8. V. Sochinskii, S. Bernardi, E. Dieguez. J. Cryst. Growth, 149 (1), 35 (1995)
  9. В.Н. Бабенцов, З.К. Власенко, А.И. Власенко, А.В. Любченко. ФТП, 31 (5), 523 (1997)
  10. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982) с. 103
  11. Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства (Киев, Наук. думка, 1984) с. 269
  12. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985) с. 7
  13. E. Finkman. J. Appl. Phys., 50 (6), 4356 (1979)
  14. А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. Укр. физ. журн., 25 (3), 434 (1980)
  15. В.В. Козелкин, И.Ф. Усольцев. Основы инфракрасной техники (М., Машиностроение, 1967) с. 37.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.