На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiH_n, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. В то же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. В работе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса. PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.