Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана на поверхности при эпитаксиальном росте пленок кремния в вакууме
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiHn, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. В то же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. В работе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса. PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs
- B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 48, 797 (1986)
- H. Hirayama, T. Tatsumi, A. Ogura, N. Aizaki. Appl. Phys. Lett., 51, 2213 (1987)
- D.W. Greve. Mater. Sc.\& Eng. B, 18, 22 (1993)
- E.V. Thomsen, C. Christensen. Thin Sol. Films, 294, 72 (1997)
- A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
- S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
- C.M. Chan, R. Aris, A. Weinberg. Appl. Surf. Sci., 1, 360 (1978)
- D.J.Robbins, J.L. Glasper, A.G. Cullis, W.Y. Leong. J. Appl. Phys., 69, 3729 (1991)
- P.M. Garone, J.C. Sturm, P.W. Schwartz, S.A. Schwartz, B.J. Wilkens. Appl. Phys. Lett., 56, 1275 (1990)
- T.R. Bramblett, Q. Lu, T. Karasawa, M.A. Hasan, S.K. Jo, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 76, 1884 (1994)
- K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, K.C. Janda. J. Chem. Phys., 92, 5700 (1990)
- A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
- T.R. Bramblett, Q. Lu, N.E. Lee, N. Taylor, M.A. Hasan, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 77, 1504 (1995)
- А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
