"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана на поверхности при эпитаксиальном росте пленок кремния в вакууме
Орлов Л.К.1, Смыслова Т.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiHn, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. В то же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. В работе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса. PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs
  1. B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 48, 797 (1986)
  2. H. Hirayama, T. Tatsumi, A. Ogura, N. Aizaki. Appl. Phys. Lett., 51, 2213 (1987)
  3. D.W. Greve. Mater. Sc.\& Eng. B, 18, 22 (1993)
  4. E.V. Thomsen, C. Christensen. Thin Sol. Films, 294, 72 (1997)
  5. A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
  6. S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  7. C.M. Chan, R. Aris, A. Weinberg. Appl. Surf. Sci., 1, 360 (1978)
  8. D.J.Robbins, J.L. Glasper, A.G. Cullis, W.Y. Leong. J. Appl. Phys., 69, 3729 (1991)
  9. P.M. Garone, J.C. Sturm, P.W. Schwartz, S.A. Schwartz, B.J. Wilkens. Appl. Phys. Lett., 56, 1275 (1990)
  10. T.R. Bramblett, Q. Lu, T. Karasawa, M.A. Hasan, S.K. Jo, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 76, 1884 (1994)
  11. K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, K.C. Janda. J. Chem. Phys., 92, 5700 (1990)
  12. A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
  13. T.R. Bramblett, Q. Lu, N.E. Lee, N. Taylor, M.A. Hasan, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 77, 1504 (1995)
  14. А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.