"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров на квантовых точках спектрального диапазона 1.5 мкм
Карачинский Л.Я.1,2, Kettler T.2, Гордеев Н.Ю.1, Новиков И.И.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Крыжановская Н.В.1, Жуков А.Е.1, Семенова Е.С.1, Васильев А.П.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1,2,3, Ковш А.Р.1,3, Щукин В.А.1,2,3, Михрин С.С.1,3, Lochmann A.2, Schulz O.2, Reissmann L.2, Bimberg D.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Deutschland
3NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Deutschland
Поступила в редакцию: 28 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Лазеры с квантовыми точками InAs/InGaAs на метаморфных слоях (In,Ga,Al)As, осажденных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, продемонстрировали длину волны генерации вблизи 1.5 мкм и дифференциальную квантовую эффективность порядка 50%. Показано, что лазеры с узким полоском работают в одномодовом режиме и выдерживают плотности непрерывного тока свыше 20 кА·см-2 без заметной деградации. Продемонстрирован непрерывный режим генерации с максимальной оптической мощностью 220 мВт. Также показано, что вплоть до самых высоких уровней возбуждения отсутствует эффект шнурования тока и излучения.
  1. N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  2. G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Phot. Technol. Lett., 12, 230 (2000)
  3. O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38, 712 (2002)
  4. A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38, 1104 (2002)
  5. Ch. Ribbat, R.L. Sellin, I. Kaiander, F. Hopfer, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 82, 952 (2003)
  6. D.G. Deppe, D.L. Huffaker, S. Csutak, Z. Zou, G. Park, O.B. Shchekin. IEEE J. Quant. Electron., 35, 1238 (1999)
  7. D. Bimberg, N.N. Ledentsov, J.A. Lott. MRS Bulletin, 27, 531 (2002)
  8. M. Yano, H. Imai, M. Tukusagawa. J. Appl. Phys., 52, 3172 (1981)
  9. H. Ishikawa, I. Suemune. IEEE Phot. Technol. Lett., 6, 344 (1994)
  10. D. Gollub, S. Moses, M. Fischer, A. Forchel. Electron Lett., 39, 777 (2003)
  11. S.R. Bank, M.A. Wistey, L.L. Goddard, H.B. Yuen, V. Lordi, J.S. Harris, Jr. IEEE J. Quant. Electron., 40, 656 (2004)
  12. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37, 1143 (2003)
  13. N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron. Lett., 39, 1126 (2003)
  14. J.P. van der Ziel, N. Chand. J. Appl. Phys., 68, 2731 (1990)
  15. M.E. Groenert, Ch.W. Leitz, A.J. Pitera, V. Yang, H. Lee, R.J. Ram, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 93, 362 (2003)
  16. K.K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X.F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 74, 1355 (1999)
  17. N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.A. Shchukin, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, L.Ya. Karachinsky, M.V. Maximov, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, I.P. Soshnikov, A.E. Zhukov, E.L. Portnoi, V.M. Ustinov, D. Gerthsen, P. Bhattacharya, N.F. Zakharov, P. Werner, F. Hopfer, M. Kuntz, D. Bimberg. Proc. SPIE, 5624, 335 (2005)
  18. М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 38, 763 (2004)
  19. N.Yu. Gordeev, A.M. Georgievski, V.I. Kopchatov, S.V. Zaitsev, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 183
  20. D. Ouyang, R. Heitz, N.N. Ledentsov, S. Bognar, R.L. Sellin, Ch. Ribbat, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 81, 1546 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.