"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении
Якобсон М.А.1, Нельсон Д.К.1, Константинов О.В.1, Матвеенцев А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Экспериментально установлено, что при возрастании плотности мощности возбуждающего излучения азотного лазера от 10 до 1000 кВт/см2 происходит сдвиг максимума спектра люминесценции GaN на ~ 150 мэВ. Мы связываем большой синий сдвиг с проявлением хвоста плотности локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы. Показано, что в модели идеальной квантовой ямы, в которой отсутствует хвост плотности локализованных состояний в запрещенной зоне, нельзя объяснить большой синий сдвиг. Предложено феноменологическое выражение для плотности состояний, содержащее подгоночный параметр - энергию Урбаха, описывающее хвосты плотности локализованных состояний. Таким образом можно описать как длинноволновый край спектра люминесценции, так и большой синий сдвиг. При различной накачке изменяется квазиуровень Ферми фотоэлектронов, который подбирается для каждой экспериментальной кривой. Достигнуто качественное согласие теоретических и экспериментальных спектров рекомбинационного излучения, свидетельствующее об адекватности предположений модели. Из условия квазинейтральности находится поверхностная концентрация носителей, которая на несколько порядков превосходит пироэлектрическую концентрацию в узких квантовых ямах.
  1. N.A. Shapiro, P. Perlin, C. Kisieloowski, L.S. Mattos, J.W. Yang, E.R. Weber. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 5, 1 (2000)
  2. M.A. Jacobson, D.K. Nelson, N. Grandjean, J. Massies, P. Bigenwald, A. Kavokin. Phys. Status Silidi C, 0 (1), 487 (2002)
  3. K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, N. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukito, H. Seki. Jap. J. Appl. Phys., 40, L140 (2001)
  4. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  5. А.С. Давыдов. Квантовая механика (М., Наука, 1973)
  6. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процесссы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
  7. R.J. Radtke, U. Waghmare, H. Ehrenreich, G.H. Grein. Appl. Phys. Lett., 73 (15), 2087 (1998)
  8. O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 3399 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.