"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Лебедев А.А.1, Syvajarvi M.2, Yakimova R.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 12 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Проведено моделирование полного торможения alpha-частицы в SiC методом Монте-Карло и получена гистограмма затрат энергии в актах ядерного рассеяния. Спектр имеет характерную асимметричную форму и ширину линии на половине высоты FWHMnucl~ 4.62 кэВ. Конечная форма спектральной линии получена сверткой с гауссианом, описывающим вклад флуктуаций ионизации и шумов (детектора и аппаратуры). Результирующая величина FWHM линии составила 8.75 кэВ (при дисперсии шума 1.7 кэВ). Достигнутое на практике разрешение детекторов оказывается в 2 раза худшим расчетной величины. Установлено, что потери заряда при переносе в объеме детектора незначительны и расхождение следует отнести к неоптимальной конструкции "входного окна".
  1. R. Yakimova, M. Syvajarvi, R.R. Ciechonski, Q. Wahab. Mater. Sci. Forum, 457-- 460, 201 (2004)
  2. CREE Research, Inc., Durham, NC 27713, USA
  3. F. Nava, P. Vanni, C. Lanzieri, C. Canali. Nucl. Instrum. Meth., A437, 354 (1999)
  4. A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, A.N. Kuznetsov, R. Yakimova. Appl. Phys. Lett., 79, 4447 (2001)
  5. N.B. Strokan, A.M. Ivanov, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk, A.A. Lebedev, M. Syvajarvi, R. Yakimova. J. Appl. Phys., 93, 5714 (2003)
  6. А.М. Иванов, Е.В. Калинина, А.О. Константинов, Г.А. Онушкин, Н.Б. Строкан, Г.Ф. Холуянов, A. Hallen. Письма ЖТФ, 30 (14), 1 (2004)
  7. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, Г.Н. Виолина. ФТП, 39, 382 (2005)
  8. G. Bertuccio, S. Binetti, S. Caccia, R. Casiraghi, A. Castaldini, A. Cavallini, C. Lanzieri, A. LeDonne, F. Nava, S. Pizzini, L. Rigutti, G. Verzellesi, E. Vittone. Mater. Sci. Forum, 483-- 485, 1015 (2005)
  9. И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 22 (15), 1 (1996)
  10. J. Lindhard, V. Nielsen. Phys. Lett., 2 (5), 209 (1962)
  11. Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press. Inc., 1984)
  12. E.L. Haines, A.B. Whitehead. Rev. Sci. Instrum., 37, 190 (1966)
  13. U. Fano. Phys. Rev., 72, 26 (1947)
  14. Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 24, (5), 44 (1998)
  15. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Маляренко, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, И. Борани, Б. Шмидт. ФТП, 27, 2052 (1993)
  16. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  17. A. Ivanov, E. Kalinina, G. Kholuyanov, G. Onushkin, N. Ctrokan, A. Konstantinov, A. Hallen, A. Kuznetsov. Mater. Sci. Forum, 483-- 485, 1029 (2005)
  18. Л. Фельдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок (М., Мир, 1989)
  19. В.Ф. Кушнирук. Препринт ОИЯИ 13-11889 (Дубна, 1978)
  20. В.Ф. Кушнирук. Препринт ОИЯИ Р13-11933 (Дубна, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.