Вышедшие номера
Идеальный статический пробой в высоковольтных (1 кВ) диодных p-n-структурах с охранными кольцами на основе 4H-SiC
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Ильинская Н.Д.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой (1060 В) в p+-n-n+-диодах с охранными кольцами на основе 4H-SiC. При легировании n-базы до уровня 1.9· 1016 см-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет 2.7·106 В/см. Ток утечки диодов не превышает 5·10-5 А/см2 при обратном напряжении до 1000 В. Диоды выдерживают без деструкции лавинный ток 1 А/см2, что соответствует рассеиваемой мощности 1 кВт/см2.