Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Идеальный статический пробой в высоковольтных (1 кВ) диодных p-n-структурах с охранными кольцами на основе 4H-SiC

Иванов П.А.¹, Грехов И.В.¹, Ильинская Н.Д.¹, Самсонова Т.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой (1060 В) в p⁺-n-n⁺-диодах с охранными кольцами на основе 4H-SiC. При легировании n-базы до уровня 1.9· 10¹⁶ см^-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет 2.7·10⁶ В/см. Ток утечки диодов не превышает 5·10^-5 А/см² при обратном напряжении до 1000 В. Диоды выдерживают без деструкции лавинный ток 1 А/см², что соответствует рассеиваемой мощности 1 кВт/см².

Q. Wahab, T. Kimoto, A. Ellison, C. Hallin, M. Tuominen, R. Yakimova, A. Henry, J.P. Bergman, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 72, 445 (1998)
D.C. Sheridan, G. Niu, J.N. Merrett, J.D. Cressler, C. Ellis, C.-C. Tin. Sol. St. Electron., 44, 1367 (2000)
D.C. Sheridan, G. Niu, J.N. Merrett, J.D. Cressler, J.B. Dufrene, J.B. Casady, I. Sankin. Proc. Int. Symp. on Power Semiconductor Devices and ICs (Osaka, 2001) p. 191
I. Sankin, J.B. Dufrene, J.N. Merrett, J.B. Casady. Mater. Sci. Forum, 433-436, 879 (2003)
X. Li, K. Tone, L. Hui, P. Alexandrov, L. Fursin, J.H. Zhao. Mater. Sci. Forum, 338-342, 1375 (2000)
D. Peters, R. Schorner, K.H. Holzlein, P. Friedrichs. Appl. Phys. Lett., 71, 2996 (1997)
K.J. Schoen, J.M. Woodall, J.A. Cooper Jr., M.R. Melloc. IEEE Trans. Electron. Dev., ED- 45, 1595 (1998)
L. Fursin, K. Tone, P. Alexandrov, Y. Luo, L. Cao, J. Zhao, M. Weiner, M. Pan. Mater. Sci. Forum, 338-342, 1399 (2000)
А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
M.K. Linnarsson, M.S. Janson, A. Shoner, A. Konstantinov, B.G. Svensson. Mater. Sci. Forum, 457-460, 917 (2004)
A.O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Linderfelt. Mater. Sci. Forum, 264-268, 513 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель