Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотопреобразование в структурах n-ZnO : Al/PdPc/ p-CuIn₃Se₅

Боднарь И.В.¹, Дмитриева Е.С.¹, Никитин С.Е.², Рудь В.Ю.³, Рудь Ю.В.², Теруков Е.И.²

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 июня 2004 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложены и впервые получены методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия (PdPc) на поверхность пластин тройного полупроводникового соединения CuIn₃Se₅ и магнетронного напыления пленок n-ZnO : Al на поверхность PdPc фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PdPc/p-CuIn₃Se₅. Исследованы вольт-амперные характеристики и спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обнаружены возможности применения полученных структур в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.

H.-W. Schock, A. Shah. Proc. 14th EU PVSEC, 2000 (1997)
G. Lundberg, M. Edoff, L. Stolt. ISES 2003. Abstract book, Solar World Congress. June 14--19, 2003 (Goteborg, Sweden, 2003) p. 57
Г.А. Ильчук, Н.В. Климова, О.И. Коньков, С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, Л.И. Рудая, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.В. Шаманин, Т.А. Юрре. ФТП, 38, 1056 (2004)
D.D. Eley. Nature, 162, 819 (1948)
А.Т. Вартанян. ЖТФ, 22, 819 (1948)
И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
E. Hernandes. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, N.N. Ledentsov. In: Ioffe Institute: 1918--1998. Development and Research Activities (Physicotechnical Institute, St. Petersburg, 1998)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
А.Г. Милнс, Д.Л. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель