"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1
1Грузинский технический университет, РЦСИ, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Цель работы заключается в изучении влияния зарядового состояния неравновесных вакансий на процессы, происходящие во время облучения и термообработки в кристаллах кремния. Образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов N=6·1013 см-3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K. Облученные кристаллы исследовались методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что природа и энергетический спектр радиационных дефектов в кристаллах n-Si в основном определяются зарядовым состоянием неравновесных вакансий.
  1. Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
  2. Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, Э.Р. Кутелия, Н.И. Майсурадзе. УФЖ, 48, 576 (2003)
  3. З.В. Башелейшвили, Т.А. Пагава. ФТП, 33, 924 (1999)
  4. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981) ч. 1, гл. 2, с. 82
  5. И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные дефекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974) ч. 1, гл. 2, с. 35
  6. P.F. Lugakov, V.V. Lukyanitsa. Phys. Status Solidi A, 84, 457 (1984)
  7. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М. Наука, 1990) гл. 3, с. 76
  8. Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 10, 1287 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.