"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Транспортные и термоэлектрические свойства полупроводникового силицида рения
Филонов А.Б.1, Кривошеев А.Е.1, Иваненко Л.И.1, Бер Г.2, Шуманн И.2, Суптель Д.2, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Лейбниц Институт физики твердого тела и материаловедения, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 9 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств полупроводникового силицида рения ReSi1.75. Монокристаллические образцы чистого и легированного алюминием ReSi1.75 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла и коэффициента Зеебека (термоэдс) измерены в интервале 77-800 K. Концентрация носителей заряда для нелегированного силицида рения при комнатной температуре составляет 1019 см-3, подвижность носителей заряда - 30 см2/(В·с). Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеяния, расчет коэффициента Зеебека. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными.
  1. L. Ivanenko, H. Lange, A. Heinrich. In: Semiconducting silicides, ed. by V.E. Borisenko (Berlin, Springer Verlag, 2000) Chap. 5, p. 243
  2. C.A. Kleint, A. Heinrich, H. Griessmann, D. Hofmann, H. Vinzelberg, J. Schumann, D. Schlaefer, G. Behr, L. Ivanenko. MRS Fall Meeting "Thermoelectric Materials 1998" (Boston, USA, 1998). [MRS Symposium Proc., 545, 165 (1999)]
  3. A. Heinrich, C. Kleint, H. Griessmann, G. Behr, L. Ivanenko, V. Shaposhnikov, J. Schumann. Proc. XVIII Int. Conf. on Thermoelectrics (Baltimore, USA, 1999) p. 161
  4. U. Gottlieb, B. Lambert-Andron, F. Nava, M. Affronte, O. Laborde, A. Rouault, R. Madar. J. Appl. Phys., 78, 3902 (1995)
  5. I. Ali, P. Muret, A. Haydar. Semicond. Sci. Technol., 16, 966 (2001)
  6. L. Ivanenko, V.L. Shaposhnikov, A.B. Filonov, D.B. Migas, G. Behr, J. Schumann, H. Vinzelberg, V.E. Borisenko. Microelectronic Engin., 64 (1--4), 225 (2002)
  7. D. Souptel, G. Behr, L. Ivanenko, H. Vinzelberg, J. Schumann. J. Cryst. Growth., 244, 296 (2002)
  8. A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, V.E. Borisenko, H. Lange, A. Heinrich. Europhys. Lett., 46, 376 (1999); A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, A. Heinrich. Microelectronic Engin., 50, 249 (2000)
  9. P. Blaha, K. Schwarz, P. Sorantin, S.B. Trickey. Comput. Phys. Com., 59, 399 (1990)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  11. B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Clarendon Press, 1982) p. 143
  12. T. Siegrist, F. Hulliger, G. Travglini. J. Less-Comm. Met., 92, 119 (1983)
  13. А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М.--Л., АН СССР, 1957) с. 36

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.