Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дислокационная структура темплейтов AlN/SiC, выращенных методом сублимации
Калмыков А.Е.
1, Мясоедов А.В.
1, Сорокин Л.М.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: aekalm@mail.ioffe.ru, amyasoedov88@gmail.com, Lev.Sorokin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 6 ноября 2023 г.
Принята к печати: 6 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована дислокационная структура слоя AlN, выращенного на подложке SiC методом сублимации. Особенность метода состояла в испарении подложки в процессе выращивания слоя для предотвращения его растрескивания. Цель исследования состояла в выявлении источников прорастающих дислокаций в слое AlN. В слое обнаружены составные дислокационные пороги, которые являются источниками дислокаций. Предположена связь образования порогов с процедурой испарения подложки. Ключевые слова: нитрид алюминия, просвечивающая электронная микроскопия, дислокация, порог.
- D.V. Nechaev, O.A. Koshelev, V.V. Ratnikov, P.N. Brunkov, A.V. Myasoedov, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov, V.N. Jmerik. Superlatt. Microstruct., 138, 106368 (2020)
- Z. Ren, Q. Sun, S.Y. Kwon, J. Han, K. Davitt, Y.K. Song, A.V. Nurmikko, H.K. Cho, W. Liu, J.A. Smart, L.J. Schowalter. Appl. Phys. Lett., 91 (5), 90 (2007)
- А.В. Мясоедов, Д.В. Нечаев, В.В. Ратников, А.Е. Калмыков, Л.М. Сорокин, В.Н. Жмерик. Письма ЖТФ, 46 (11), 26 (2020)
- K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro. Jpn. J. Appl. Physics, Part 1 Regul. Pap. Short Notes Rev. Pap., 43 (11 A), 7448 (2004)
- R.R. Sumathi. J. Solid State Sci. Technol., 10 (3), 035001 (2021)
- T.S. Argunova, M.Y. Gutkin, E.N. Mokhov, O.P. Kazarova, J.-H. Lim, M.P. Shcheglov. Phys. Solid State, 57 (12), 2473 (2015)
- П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов (М., Мир, 1968)
- T.S. Argunova, M.Y. Gutkin, J.H. Je, A.E. Kalmykov, O.P. Kazarova, E.N. Mokhov, K.N. Mikaelyan, A.V. Myasoedov, L.M. Sorokin, K.D. Shcherbachev. Crystals, 7 (6), 1 (2017)
- E.N. Mokhov, I. Izmaylova, O. Kazarova, A. Wolfson, S. Nagalyuk, D. Litvin, A. Vasiliev, H. Helava, Y. Makarov. Phys. Status Solidi Curr. Top. Solid State Phys., 10 (3), 445 (2013)
- D. Hull and D.J. Bacon. Introduction to Dislocations (Butterworth-Heinemann is an imprint of Elsevier, 2011)
- А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов Изв. РАН. Механика твердого тела, N 2, 3 (2020)
- J.E. Ayers. Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization (Boca Raton, CRC Press, 2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
