Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 652
<<<>>>
Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001)
Министерство образования и науки Российской Федерации, государственное задание, 122020100326-7
Министерство образования и науки Российской Федерации, государственное задание, 122020100254-3
Пащенко А.С. 1,2, Девицкий О.В. 1,2, Лунина М.Л. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Email: as.pashchenko@gmail.com, v2517@rambler.ru, marinalschaz@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 29 ноября 2023 г.
Принята к печати: 1 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
PDF версия
Импульсным лазерным напылением осуществлено выращивание тонкой пленки GaInAsBi на подложке Si (001). Рост осуществлен в режиме Фольмера-Вебера. Зерна преимущественно монофазные, но разделены сетью дислокаций, а в некоторых участках присутствуют антифазные границы. Исследование реальной структуры методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии показывает, что релаксация напряжений произошла за счет пластических сдвигов, через зарождение дислокаций и скольжение по плотноупакованным плоскостям 111, а также через двойникование и изменение шероховатости поверхности. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено, что пленка GaInAsBi имеет параметр решетки 5.856 Angstrem. Среднеквадратическая шероховатость поверхности пленки, измеренная методом атомно-силовой микроскопии, составила 0.51 нм. Ключевые слова: III-V соединения, сильно рассогласованные сплавы, импульсное лазерное напыление, GaInAsBi, кремний.
  1. V. Pacebutas, B. Cechavicius, A. Krotkus. Infr. Phys. Technol., 111, 10567 (2020). https://doi.org/10.1016/j.infrared.2020.103567
  2. Y. Zhong, P. Dongmo, J. Zide. Dilute Bismuthides on an InP Platform. In: Bismuth-Containing Compounds, ed. by H. Li, Z. Wang. Springer Ser. Mater. Sci. (Springer, N. Y., 186, 2013). https://doi.org/10.1007/978-1-4614-8121-8_4
  3. V. Paсebutas, S. Stanionyte, R. Norkus, A. Biсi\=unas, A. Urbanowicz, A. Krotkus. J. Appl. Phys., 125, 174507 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5089855
  4. J. Devenson, V. Pacebutas, R. Butkute, A. Baranov, A. Krotkus. Appl. Phys. Exp., 5, 015503 (2012). https://doi.org/10.1143/APEX.5.015503
  5. V. Paсebutas, A. Urbanowicz, P. Cicenas, S. Stanionyte, A. Biсi\=unas, I. Nevinskas, A. Krotkus. Semicond. Sci. Technol., 30 (9), 094012 (2015). https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/9/094012
  6. T. Hepp, O. Mab meyer, D.A. Duffy, S.J. Sweeney, K. Volz. J. Appl. Phys., 126, 085707 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5097138
  7. Q. Li, K.M. Lau. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 63 (4), 105 (2017). https://doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2017.10.001
  8. Y. Hu, D. Liang, K. Mukherjee, Y. Li, C. Zhang, G. Kurczveil, X. Huang, R.G. Beausoleil. Light: Sci. Appl., 8, 93 (2019). https://doi.org/10.1038/s41377-019-0202-6
  9. I. Lucci, S. Charbonnier, L. Pedesseau, M. Vallet, L. Cerutti, J.-B. Rodriguez, E. Tournie, R. Bernard, A. Letoublon, N. Bertru, A. Le Corre, S. Rennesson, F. Semond, G. Patriarche, L. Largeau, P. Turban, A. Ponchet, C. Cornet. Phys. Rev. Mater., 2, 060401 (2018). https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.060401
  10. A.R. Shugurov, A.V. Panin. Techn. Phys., 65, 1881 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063784220120257
  11. G.A. Devenyi, S.Y. Woo, S. Ghanad-Tavakoli, R.A. Hughes, R.N. Kleiman, G.A. Botton, J.S. Preston. J. Appl. Phys., 110, 124316 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3671022
  12. M. Volmer, A.Z. Weber. Zeitschrift Physik Chem., 119, 277 (1926)
  13. S.F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoc, H. Zabel, C. Choi, N. Otsuka. J. Appl. Phys., 68 (7), R31 (1990). https://doi.org/10.1063/1.346284
  14. Y.H. Kim, Y.K. Noh, M.D. Kim, J.E. Oh, K.S. Chung. Thin Sol. Films, 518 (8), 2280 (2010). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.09.120
  15. W. Walukiewicz, J.M.O. Zide. J. Appl. Phys., 127, 010401 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5142248
  16. G. Feng, M. Yoshimoto, K. Oe, A. Chayahara, Y. Horino. Jpn. J. Appl. Phys., 44, L1161 (2005). https://doi.org/10.1143/JJAP.44.L1161
  17. P. Ludewig, L. Nattermann, W. Stolz, K. Volz. Semicond. Sci. Techn., 30 (9), 094017 (2015). https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/9/094017
  18. E. Sterzer, N. Knaub, P. Ludewig, R. Straubinger, A. Beyer, K. Volz. J. Cryst. Growth, 408, 71 (2014). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.09.006
  19. B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov, Yu.Yu. Gushina. Nanotechnology, 11, 221 (2000). https://doi.org/10.1088/0957-4484/11/4/306
  20. S. Martini, A.A. Quivy, M.J. da Silva, T.E. Lamas, E.C.F. da Silva, J.R. Leite, E. Abramof. J. Appl. Phys., 94, 7050 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1621738
  21. L. Francaviglia, G. Tutuncuoglu, S. Marti-Sanchez, E. Di Russo, S.E. Steinvall, J.S. Ruiz, H. Potts, M. Fried, L. Rigutti, J. Arbiol, A. Fontcuberta i Morra. Phys. Rev. Mater., 3, 023001(R) (2019). https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.023001
  22. R.R. Pel'a, L.K. Teles, M. Marques, S. Martini. J. Appl. Phys., 113, 033515 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4776741
  23. A.S. Pashchenko, O.V. Devitsky, L.S. Lunin, I.V. Kasyanov, D.A. Nikulin, O.S. Pashchenko. Thin Sol. Films, 743, 139064 (2022). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2021.139064
  24. N.A. Shepelin, Z.P. Tehrani, N. Ohannessian, C.W. Schneider, D. Pergolesi, T. Lippert. Chem. Soc. Rev., 52, 2294 (2023). https://doi.org/10.1039/d2cs00938b
  25. T.K.O. Vu, M.T. Tran, E.K. Kim. J. Alloys Compd., 924, 166531 (2022). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.166531
  26. V.A.S. Kandadai, V. Gadhamshetty, B.K. Jasthi. Surf. Coat. Techn., 447, 128805 (2022). https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2022.128805
  27. Chanchal, K. Jindal, A. Pandey, M. Tomar, P.K. Jha. Appl. Surf. Sci., 595, 153505 (2022). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153505
  28. W.C. McGinnis, A. Hening. Thin Sol. Films, 764, 139603 (2023). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139603
  29. T.N. Van, E. Laborde, C. Champeaux, F. Dumas-Bouchiat, D.T. Quang, T.N. Vu, C.N. Xuan, D.T.H. Giang, T.P. Van. Appl. Surf. Sci., 619, 156756 (2023). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.156756
  30. C. Eisenmenger-Sittner. Growth Control and Thickness Measurement of Thin Films. In: Digital Encyclopedia of Applied Physics (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co., 2023). https://doi.org/10.1002/3527600434.eap809
  31. M. Ohring. Materials Science of Thin Films. Deposition and Structure. 2nd edn (Elsevier, Academic Press, 2002) p. 816]. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-524975-1.X5000-9
  32. B. Pichaud, N. Burle, M. Texier, C. Alfonso, M. Gailhanou, J. Thibault-Penisson, C. Fontaine, V.I. Vdovin. Phys. Status Solidi C, 6 (8), 1827 (2009). https://doi.org/10.1002/pssc.200881469
  33. Q. Li, X. Zhou, C. W. Tang, K. M. Lau. IEEE Trans. Electron Dev., 60 (12), 4112 (2013). https://doi.org/10.1109/TED.2013.2283721
  34. P.J. Simmonds, M.L. Lee. J. Appl. Phys., 112, 054313 (2012). https://doi.org/10.1063/1.4749407
  35. F. Louchet, J. Thibault-Desseaux. Rev. Phys. Appl., 22, 207 (1987). https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002204020700
  36. D. Hull, D.J. Bacon. Introduction to Dislocation. 5th edn (Butterworth-Heinemann, 2011) p. 85. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-096672-4.00005-0
  37. M. Niewczas. Dislocations and Twinning in Face Centered Cubic Crystals. Ch. in book: Dislocations in Solids, ed. by J.P. Hirth and F.R.N. Nabarro (Elsevier, 2007) v. 13, p. 263. https://doi.org/10.1016/S1572-4859(07)80007-6
  38. W. Bollmann. Crystal Defects and Crystalline Interfaces (Springer Berlin, Heidelberg, 2012). https://doi.org/10.1007/978-3-642-49173-3
  39. L.B. Freund, S. Suresh. Thin Film Materials: Stress, Defect Formation and Surface Evolution (Cambridge University Press, Cambridge, 2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme