Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дефекты с глубокими уровнями в высоковольтных плавных p-i-n-гетеропереходах AlGaAsSb/GaAs

Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 23-29-00245

Соболев М.М.

¹, Солдатенков Ф.Ю.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 17 июля 2023 г.

Принята к печати: 30 октября 2023 г.

Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследованы высоковольтные плавные p^0-i-n⁰-переходы Al_xGa_1-xAs_1-ySb_y с x~ 0.24 и y~ 0.05 в i-области. Установлено, что эффективной рекомбинационной ловушкой в них является DX-центр донорной примеси Si, с энергией термической активации E_t=414 мэВ, сечением захвата sigma_n=1.04· 10^-14 см² и концентрацией N_d=2.4·10¹⁵ см^-3. В исследованных гетероструктурах отсутствовали глубокие уровни, связанные с дислокациями. Ключевые слова: AlGaAsSb, p^0-i-n⁰-переход, DLTS, DX-центр, жидкофазная эпитаксия.

M.M. Sobolev, F.Y. Soldatenkov, V.G. Danil'chenko. J. Appl. Phys., 128 (9), 095705 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0018317
M.M. Sobolev, F.Yu. Soldatenkov, I.L. Shul'pina. J. Appl. Phys., 123, 161588 (2018). DOI: 10.1063/1.5011297
D.V. Lang, R.A. Logan, M. Jaros. Phys. Rev. B, 19, 1015 (1979). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.19.1015
P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990). https://doi.org/10.1063/1.345628
T.N. Theis, P.M. Mooney, B.D. Parker. J. Electron. Mater., 20, 35 (1991). https://doi.org/10.1007/BF02651963
L. Dobaczewski, P. Kaczor. Phys. Rev. B, 44, 8621 (1991). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.8621
C.O. Thomas, D. Kahng, R.C. Manz. J. Electrochem. Soc., 109, 1055 (1962). DOI: 10.1149/1.2425235

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель