Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg_0.3Cd_0.7Te и Hg_0.7Cd_0.3Te

Ружевич М.С.¹, Мынбаев К.Д.

^1,2, Баженов Н.Л.

², Варавин В.С.

³, Ремесник В.Г.

³, Михайлов Н.Н.

³, Якушев М.В.

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: max.ruzhevich@niuitmo.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, varavin@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 11 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 17 июля 2023 г.

Принята к печати: 30 октября 2023 г.

Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования фотолюминесценции слоев твердых растворов Hg_0.3Cd_0.7Te и Hg_0.7Cd_0.3Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Сопоставление данных фотолюминесценции с результатами измерения оптического пропускания, структурных и микроскопических исследований показало, что по степени разупорядочения твердого раствора исследованные слои Hg_0.7Cd_0.3Te не уступают по качеству материалу, синтезированному другими методами. Для слоев Hg_0.3Cd_0.7Te данные фотолюминесценции выявили существенные флуктуации состава и присутствие акцепторных состояний, что свидетельствует о необходимости оптимизации технологии. Ключевые слова: твердые растворы, HgCdTe, фотолюминесценция, дефекты.

M. Kopytko, A. Rogalski. Sensors Actuators: A. Phys., 339, 113511 (2022). DOI: 10.1016/j.sna.2022.113511
J. Chen, J. Wang, X. Li, J. Chen, F. Yu, J. He, J. Wang, Z. Zhao, G. Li, X. Chen, W. Lu. Sensors, 22 (2), 677 (2022). DOI: 10.3390/s22020677
A. Drago, E. Pace, S. Bini, M. Cestelli Guidi, F. Cioeta, A. Marcelli, V. Bocci. J. Instrument., 18 (2), C02012 (2023). DOI: 10.1088/1748-0221/18/02/C02012
D. Yang, J. Lin, C. Lin, X. Wang, S. Zhou, H. Guo, R. Ding, L. He. Solid-State Electron., 205, 108665 (2023). DOI: 10.1016/j.sse.2023.108665
В.В. Уточкин, А.А. Дубинов, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов. ФТП, 55 (10), 922 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51445.49
N. Mokdad, F.Z. Mami, N. Boukli-Hacene, K. Zitouni, A. Kadri. J. Appl. Phys., 132 (17), 175702 (2022). DOI: 10.1063/5.0101924
V.V. Rumyantsev, A.A. Razova, M.A. Fadeev, V.V. Utochkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Opt. Eng., 60 (8), 082007 (2021). DOI: 10.1117/1.OE.60.8.082007
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, Д.В. Марин. ФТП, 48 (6), 788 (2014)
М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Дорогов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков ФТТ, 65 (3), 411 (2023). DOI: 10.21883/FTT.2023.03.54738.552
Д.А. Андрющенко, М.С. Ружевич, А.М. Смирнов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.Г. Ремесник. ФТП, 55 (11), 1040 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51558.9689
К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.М. Смирнов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев. ФТП, 54 (12), 1302 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50229.9497
C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 62 (15), 10353 (2000). DOI: 10.1103/PhysRevB.62.10353
A. Lusson, F. Fuchs, Y. Marfaing. J. Crys. Growth, 101 (1-4), 673 (1990). DOI: 10.1016/0022-0248(90)91056-V
P. Gille, K.H. Herrmann, N. Puhlmann, M. Schenk, J.W. Tomm, L. Werner. J. Cryst. Growth, 86 (1-4), 593 (1988). DOI: 10.1016/0022-0248(90)90781-F
C.R. Becker, T.N. Casselman, C.H. Grein, S. Sivananthan. Molecular Beam Epitaxy of HgCdTe Materials and Detectors, Chap. 6.04 in: Comprehensive Semiconductor Science and Technology, ed. by P. Bhattacharya, R. Fornari and H. Kamimura (Elsevier, Amsterdam, 2011) v. 6, p. 128. DOI: 10.1016/B978-0-44-453153-7.00015-8

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель