"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерного излучения
Цуканов А.В.1
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Теоретически изучено влияние резонансного лазерного импульса на квантовую динамику электронов в системе из 3 полупроводниковых квантовых точек, имеющих форму параллелепипедов. Показано, что в несимметричной структуре перенос электрона между крайними точками описывается двухуровневой схемой с диагональными переходами. Энергии рабочих уровней, а также матричные элементы для соответствующих электронных переходов получены в приближении высоких барьеров. Найдены параметры лазерного импульса, при которых вероятность резонансного перехода электрона из основного состояния одной квантовой точки в основное состояние другой квантовой точки является максимальной.
  1. L.A. Openov. Phys. Rev. B, 60, 8798 (1999)
  2. А.В. Цуканов, Л.А. Опенов. ФТП, 38, 94 (2004)
  3. H. Benisty. Phys. Rev. B, 51, 13 281 (1995)
  4. P.A. Knipp, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 52, 5923 (1995)
  5. A.A. Larionov, L.E. Fedichkin, K.A. Valiev. Nanotechnology, 12, 536 (2001)
  6. A.V. Tsukanov, A.A. Larionov, K.A. Valiev. Proc. of SPIE, 5128, 131 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.