"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTe--электролит
Божевольнов В.Б.1, Яфясов А.М.1, Коноров П.П.1
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Поступила в редакцию: 25 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Экспериментально и расчетным путем показано, что структуры, в которых при комнатных температурах проявляются свойства двумерного и одномерного электронного газа, могут быть сформированы на основе соединений CdHgTe в системе полупроводник--электролит. Представлена методика формирования квантово-размерных структур и рассмотрен метод контроля электрофизических свойств таких структур непосредственно в процессе их образования.
  1. M.J. Kelly. Low-dimensional semiconductors. Materials, Physics, Technology, Devices (Oxford, Clarendon Press, 1995)
  2. T. Ando, Y. Arakawa, K. Furuya, S. Komiyama, H. Nakashima. Mesoscopic Physics and Electronics (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 1998)
  3. П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПб., Изд-во СПб. ун-та, 2003) гл. 6, с. 111
  4. А.М. Яфясов, П.П. Коноров, В.Б. Божевольнов. В сб.: Фундаментальные исследования новых материалов и процессов в веществе (М., Изд-во МГУ, 1994) с. 129
  5. Semiconductors and Semimetals. Mercury Cadmium Telluride / Ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N.Y. A.P.) 18, 388 (1981)
  6. R. Dornhaus, G. Nimts. Springer Tracts in Modern Phys., 98 (1), 309 (1983)
  7. M.W. Scot. J. Appl. Phys., 43, 1055 (1992)
  8. J.C. Shim, Y.G. Kim, Y.T. Song, J.K. Hong, S.U. Kim, M.J. Park. J. Cryst. Growth, 214/215, 260 (2000)
  9. V. Sakashito, B. Lochek, H.H. Streblov. J. Electroanal. Chem., 140, 75 (1982)
  10. D.R. Rhiser, R.E. Kvaas. J. Vac. Sci. Technol., 21, 168 (1982)
  11. R. Kumaresan, S. Moorthy Babu, P. Ramasamy. J. Cryst. Growth, 198/199, 1165 (1999)
  12. Jong-Hwa Choi, Hee Chul Lee. Semicond. Sci. Technol., 17, 266 (2002)
  13. И.М. Иванкив, А.М. Яфясов, В.Б. Божевольнов, А.Д. Перепелкин. ФТП, 35 (5), 546 (2001)
  14. М.Д. Кротова, Б.И. Лендцнер, Л.Л. Кноу, Ю.В. Плесков. Электрохимия, 5, 291 (1969)
  15. Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1983) с. 312
  16. И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992) с. 158
  17. Г. Николис, И. Пригожин. Познание сложного (М., Мир, 1990) с. 339
  18. A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv, V.B. Bogevolnov. Appl. Surf. Sci., 142, 629 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.