Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм низкотемпературных стимулированных процессов плазменного анодирования металлов и полупроводников

Бибилашвили А.П.¹, Герасимов А.Б.¹

¹Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия

Поступила в редакцию: 30 марта 2004 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

PDF версия

Предложен механизм стимулирования низкотемпературного плазменного анодирования с использованием катализатора или ультафиолетового облучения при получении оксидных пленок металлов и полупроводников. Стимулирующее действие этих воздействий на процесс плазменного анодирования объясняется появлением дополнительной концентрации антисвязывающих квазичастиц (электронов и дырок), ослабляющих химические связи анодируемого вещества. Приводятся условия проведения стимулированных процессов.

В.П. Пархутик, В.А. Лабунов. Плазменное анодирование --- физика, техника, применение в микроэлектронике (Минск: Наука i техника, 1990), с. 276
S. Gourrier, A. Mircea, M. Bacal. Thin Sol. Films, 65 (3), 315 (1980)
M. Croset, G. Velasco. Патент Франции N 7727470, H01L 21/00 (1979)
J. Perriere, J. Siejka, S. Rigo. Corros Sci., 20 (1), 91 (1980)
S. Gourrier, J.B. Theeten. Appl. Phys. Lett., 38 (1), 33 (1981)
А.П. Бибилашвили, А.Б. Герасимов, Г.Б. Чахунашвили. А.с. N 551972, H01L 21/00 (1976)
С.В. Барасьев, А.П. Бибилашвили, А.Б. Герасимов. А.с. N 1017124. H01L 21/00 (1983)
А.П. Бибилашвили, М.Т. Вепхвадзе, А.Б. Герасимов, Р.Е. Казаров, З.Д. Самадашвили. ЖТФ, 25 (15), 5 (1999)
А.П. Билилашвили. Физика и химия обраб. материалов, N 5, 40 (2001)
С.В. Барасьев, А.П. Бибилашвили, А.Б. Герасимов. А.с. N 1172412, H01L 24/00 (1985)
К. Тейлор, Н. Дарби. Физика редкоземельных соединений (М., Мир, 1978)
В.И. Фистуль. Физика и химия твердого тела (М., Металлургия, 1995) т. 2
Л. Полинг, П. Полинг. Химия (М., Мир, 1978)
А.Н. Кочарян, Д.И. Хомский. Журн. ВРХО им. Д.И. Менделеева, т. XXVI, 39 (1981)
J.F. O'Hanlon, W.B. Pennebakei. Appl. Phys. Lett., 18 (12), 554 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель