"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) в вюрцитных кристаллах GaN
Криволапчук В.В.1, Кожанова Ю.В.2, Лундин В.В.1, Мездрогина М.М.1, Родин С.Н.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Легирование нитрида галлия (GaN) примесями Eu, Sm, Er производилось с помощью метода диффузии. Поведение редкоземельных примесей (образование донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне GaN) коррелирует с суммарной концентрацией дефектов, определяемых оптическими методами измерений, положением уровня Ферми в исходных и легированных кристаллах. Интенсивность линий излучения, характерных для внутрицентровых f-1pt-0.5ptf-переходов редкоземельных ионов, определяется суммарной концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице.
  1. A.J. Steckel, R. Birkhahn. Appl Phys. Lett., 73, 1700 (1998)
  2. A.J. Steckel, M. Garter, R. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett., 73, 2450 (1998)
  3. S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull. Appl. Phys. Lett., 71, 2662 (1997)
  4. A.J. Neuhalfen, B.W. Wessels. Appl. Phys. Lett., 60, 2572 (1992)
  5. М.М. Мездрогина, Е.И. Теруков, Н.П. Серегин, П.П. Серегин, И.Н. Трапезникова, Ф.С. Насрединов. ФТП, 36, 1252 (2002)
  6. В.В. Криволавчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма ЖТФ, 28, 19 (2002)
  7. S. Kim, R.L. Henry, A.E. Wicken, D.E. Koleske, S.J. Rhee, J.O. White. J. Appl. Phys., 90, 252 (2001)
  8. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45, 1556 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.