"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле SiO2 с помощью селективного травления
Дунаевский М.С.1, Grob J.J.2, Забродский А.Г.1, Laiho R.3, Титков А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Laboratoire PHASE, Universite Louis Pasteur, BP20CR, Strasbourg, France
3Wihuri Laboratory, Turku University, Turku, Finland
Поступила в редакцию: 22 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследовались топография и локальная твердость протравленных поверхностей слоев термического окисла SiO2, содержащих в объеме нанокристаллы Si. Нанокристаллы Si (Si-НК) были получены имплантацией в окисел ионов Si+ с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что применение селективного травления, удаляющего материал окисла, позволяет выявлять Si-НК, которые проявляются в рельефе протравленных поверхностей в виде нанобугорков высотой до 2--3 нм. Эти значения примерно соответствуют среднему радиусу Si-НК в слое окисла SiO2. Независимое подтверждение наблюдения Si-НК было получено при сопоставлении топографии протравленных поверхностей с полученными для них картами локальной твердости, в которых бугорки Si-НК проявляются как места поверхности с меньшей твердостью. В работе также наблюдалось фазовое выделение имплантированного Si в виде протяженных кластеров плоской формы, ориентированных в толще окисла параллельно его поверхности. Найденный способ выявления встроенных в окисел Si-НК и кластеров открывает удобную возможность изучения закономерностей зародышевого роста и спинодального распада в твердом растворе Si в окисле SiO2.
  1. D. Muller, P. Knapek, J. Faure, J.J. Grob, B. Honerlage, I. Pelant. Nucl. Instr. a Meth. in Physics Research B, 148, 997 (1999)
  2. P. Protopoulps, A.G. Nassiopoulou. Appl. Phys. Lett., 77, 1816 (2000)
  3. Yi Shi, K. Ishikuro, T. Hiramoto. J. Appl. Phys., 84, 2358 (1998)
  4. E. Kapetanakis, P. Normand, D. Tsoukas, K. Beltsios, J. Stoemenos, S. Zhang. Appl. Phys. Lett., 77, 3450 (2000)
  5. G. Ben Assayag, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, P. Normand. Appl. Phys. Lett., 82, 200 (2003)
  6. А.А. Бухараев, Н.И. Нургазизов, А.В. Сугоняко. Микроэлектроника, 31, 121 (2002)
  7. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.V. Levichev, A.V. Zdoroveishev, V.A. Perevoshikov. Phys. Low-Dim. Structur., 3, 4, 341 (2001)
  8. S. Guha. J. Appl. Phys., 84, 5210 (1998)
  9. M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, H.A. Atwater. J. Appl. Phys., 86, 759 (1999)
  10. S. Cheylan, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 78, 1912 (2001)
  11. V.J. Garcia, L. Martinez, J.M. Briceno-Valero, C.H. Schilling. Probe Microscopy, 1, 107 (1997)
  12. B. Kracke, B. Damaschke. Appl. Phys. Lett., 77, 361 (2000)
  13. G.D. Wilk, Yi Wei, H. Edwards, R.M. Wallace. Appl. Phys. Lett., 70, 2288 (1999)
  14. M. Strobel, R.-H. Heinig, W. Moeller. Phys. Rev. B, 64, 245 422 (2001)
  15. T. Mueller, R.-H. Heinig, W. Moeller. J. Appl. Phys., 81, 3049 (2002)
  16. S.P. Withrow, C.W. White, D.M. Hembree, J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.