"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Твердые растворы (CIV2)1-x(AIIIBV)x, полученные из ограниченного объема оловянного раствора--расплава
Сапаев Б.1, Саидов М.С.1, Саидов А.С.1, Каражанов С.Ж.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 30 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывного ряда твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора--расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si2)1-x(GaAs)x (0=<q x=<q0.96) и (Si2)1-x(GaP)x (0=<q x=<q 1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине слоев (Si2)1-x(GaAs)x, (Si2)1-x(GaP)x, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si2)1-x(GaAs)x и Si-(Si2)1-x(GaP)x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывает на структурное совершенство выращенных твердых растворов (CIV2)1-x(AIIIBV)x.
  1. М.С. Саидов. Гелиотехника, N 5--6, 57 (1997)
  2. Я.С. Уманский, Б.Н. Финкельштейн и др. Физическое металловедение (М., Металлургиздат, 1955) с. 122
  3. Л.И. Марина, А.Я. Нашельский, Л.И. Колесник. Полупроводниковые фосфиды A-=SUP=-3-=/SUP=-B-=SUP=-5-=/SUP=- и твердые растворы на их основе (М., Металлургия, 1974) с. 45
  4. М.С. Саидов, И. Шукуров. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8 (2), 2077 (1972)
  5. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
  6. C.D. Thurmond. J. Phys. Chem. Sol., 28 (11), 2257 (1967)
  7. М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962)
  8. Б. Сапаев, А.С. Саидов, У.Т. Давлатов. Вестн. Гуллистанского гос. ун-та, N 1, 50 (2001)
  9. С.В. Мамиканян. Аппаратура и методы флуоресцентного рентгено-радиометрического анализа (М., Атомиздат, 1976)
  10. Е.Ф. Вегман, Ю.Г. Руфанов, И.Н. Федорченко. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография (М., Металлургия, 1990)
  11. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985)
  12. A.K. Riben, B.L. Feucht, W.G. Oldham. J. Electrochem. Soc., 113 (3), 245 (1966)
  13. H.J. Howel, A.G. Milnes. J. Electrochem. Soc., 116 (6), 843 (1969)
  14. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  15. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Кристаллография, 22 (2), 431 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.