"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теория туннельного токопереноса в контактах металл- полупроводник с приповерхностным изотипным delta-легированием
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 21 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Построена теория туннельного токопереноса в контактах металл-полупроводник с приповерхностным изотипным delta-легированием. На основе подхода Мерфи и Гуда, с учетом снижения высоты потенциального барьера за счет сил изображения, получены аналитические выражения для тока. Проведен расчет характеристик delta-легирования, обеспечивающего эффективную термополевую эмиссию в контакте металл-полупроводник и уменьшение эффективной высоты барьера от исходных значений до единиц kT. Установлено, что зависимость тока от напряжения в контакте с изотипным delta-легированием носит в основном экспоненциальный характер. Показано, что для всех значений высоты барьера возможно сохранение малого фактора неидеальности n=<q 1.07. Резкое его возрастание до n>=q 1.5 характерно для контактов с не полностью обедненным delta-слоем.
  1. E.H. Phoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor Contacts (Claredon Press, Oxford, 1988)
  2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
  3. F.A. Radovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  4. Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: Tunneling Phenomena in Solids, ed. by E. Burstein, S. Lundqvist (N. Y., Plenum Press, 1969)]
  5. E.F. Schubert, J.E. Cunningham, W.T. Tsang, T.H. Chiu. Appl. Phys. Lett., 49, 292 (1986)
  6. M. Missous, T. Taskin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1848 (1993)
  7. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26, 57 (1997)
  8. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36, 537 (2002)
  9. S.G. Miller, R.G. Good. Phys. Rev., 91, 174 (1953)
  10. E.L. Murphy, R.H. Good. Phys. Rev., 102, 1464 (1956)
  11. S.G. Christov. Surf. Sci., 70, 32 (1978)
  12. V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov. Proc. Int. Semicon. Dev. Res. Symp. ( ISDRS 1997) (Charlottseville, USA, 1997) p. 147
  13. V. Shashkin, Yu. Chechenin, V. Danil'tsev, O. Khrykin, A. Maslovsky, A. Murel, V. Vaks. Proc 23rd Int. Conf. Microelectronics ( MIEL 2002) (Nis, Yugoslavia, 2002) p. 335
  14. А. Модинос. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия (М., Наука, 1990)
  15. А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Маричев. Интегралы и ряды (М., Наука, 1981)
  16. J.M. Geraldo, W.N. Rodrigues, G. Medeiros-Ribeiro, A.G. de Oliveira. J. Appl. Phys., 73, 820 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.