Вышедшие номера
О предельной квантовой эффективности краевой электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах
Саченко А.В.1, Горбань А.П.1, Костылев В.П.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Рассчитана предельная квантовая эффективность электролюминесценции в кремниевых диодах и p-i-n-структурах при комнатной температуре. Показано, что ее внутренний квантовый выход составляет около 10% и реализуется при оптимальных уровнях легирования n- и p-областей кремниевого диода ~ 1015 и 5· 1016 см-3 соответственно. По мере уменьшения времен жизни Шокли-Рида-Холла для электронов и дырок внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах резко снижается. Физика процессов, связанных с влиянием экситонов в кремнии, имеет много общего для электролюминесценции, фотолюминесценции и фотопреобразования. Показано, что перспективными для использования в кремниевых интегральных схемах могут быть лишь электролюминесцентные p-i-n-структуры.