Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О предельной квантовой эффективности краевой электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Рассчитана предельная квантовая эффективность электролюминесценции в кремниевых диодах и p-i-n-структурах при комнатной температуре. Показано, что ее внутренний квантовый выход составляет около 10% и реализуется при оптимальных уровнях легирования n- и p-областей кремниевого диода ~ 1015 и 5· 1016 см-3 соответственно. По мере уменьшения времен жизни Шокли-Рида-Холла для электронов и дырок внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах резко снижается. Физика процессов, связанных с влиянием экситонов в кремнии, имеет много общего для электролюминесценции, фотолюминесценции и фотопреобразования. Показано, что перспективными для использования в кремниевых интегральных схемах могут быть лишь электролюминесцентные p-i-n-структуры.
- M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
- W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Lewdain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
- М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. Матер. совещ. Нанофотоника-2003" (2003) т. 1, с. 59; O.B. Gusev, M.S. Bresler, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. In: Proc. NATO Workshop "Toward the First Silicon Laser" (2002)
- A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 5 (2000)
- A.V. Sachenko, Ju.V. Kryuchenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 150 (2000)
- A.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 322 (2000)
- А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев. Укр. физ. журн., 46, 226 (2001)
- A.V. Sachenko, N.A. Prima, A.P. Gorban, A.A. Serba. Proc. 17 th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Munich, 2001) v. 1, p. 230
- A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, V.V. Chernenko. Proc. 17 th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Munich, 2001) v. 1, p. 234
- А.П. Горбань, В.А. Зуев, В.П. Костылев, А.В. Саченко, А.А. Серба, В.В. Черненко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 36, 161 (2001)
- M.J. Keevers, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 66, 174 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
