"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe в процессе "старения"
Драпак С.И.1, Орлецкий В.Б.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Исследовано изменение контактной разности потенциалов контакта n-InSe-p-GaSe в процессе длительного (более 10 лет) хранения в нормальных условиях. Обнаруженное существенное увеличение со временем контактной разности потенциалов объясняется сближением поверхностей моноселенидов индия и галлия вследствие диффузионного расплывания кислорода, первоначально адсорбированного на границе раздела, в глубь контактирующих полупроводников с образованием участков реального "тесного" контакта InSe/GaSe.
  1. В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11 (11), 2000 (1977)
  2. В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12 (2), 374 (1978)
  3. Т.В. Аверьянова, В.Л. Бакуменко, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 14 (8), 1573 (1980)
  4. В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Монассон, К.Д. Товстюк. ФТП, 21 (2), 380 (1987)
  5. Э.Г. Аширов, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Ю.С. Магай и др. Тез. докл. Всес. сем. по радиационным эффектам в полупроводниках и полупроводниковых приборах (Баку, Азернешер, 1980) с. 91
  6. R.H. Williams, A.J. McAvej. J. Vac. Sci. Technol., 9 (2), 867 (1972)
  7. Л.Б. Ананьина, В.Л. Курбатов, В.Ф. Чишко. ФТП, 10 (12), 2373 (1976)
  8. З. Ковалюк, В. Махний, О. Янчук. Вестн. Львов. ун-та. Сер. физическая, вып. 34, 217 (2001)
  9. В.Н. Катеринчук. Фотоэлектрические свойства структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник на основе моноселенидов галлия и индия (Черновцы, ЧГУ, 1989)
  10. Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18 (8), 1472 (1984)
  11. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Наука, 1975) с. 4
  12. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1965) с. 363
  13. J. Martinez-Pastor, A. Segura, J.L. Valdes, A. Chevy. J. Appl. Phys., 21 (2), 1477 (1987)
  14. R.R. Daniels, G. Margaritondo, C. Quaresima, P. Perfetti, F. Levy. J. Vac. Sci. Technol. A, 3 (3), 979 (1985)
  15. А.Г. Кязым-заде, Д.Х. Джафаров. Докл. АН АзССР, 36 (10), 7 (1980)
  16. С.И. Драпак, В.А. Манассон, В.В. Нетяга, З.Д. Ковалюк. ФТП, 37 (2), 172 (2003)
  17. А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17 (8), 1361 (1983)
  18. С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Манассон. ФТП, 23 (8), 1510 (1989)
  19. К.Д. Товстюк. Полупроводниковое материаловедение (Киев, Наук. думка, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.