"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия
Глинчук К.Д.1, Литовченко Н.М.1, Стрильчук О.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Проведен анализ спектров (T=4.2 K) экситонной люминесценции полуизолирующих кристаллов GaAs с различными концентрациями мелких акцепторов (С) и доноров (Si). Это позволило найти при температуре жидкого гелия коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими нейтральными акцепторами [bA0X=(4±2)·10-8 см3/с] и донорами [bD0X=(1.5±0.8)·10-7 см3/с], а также оценить коэффициент захвата свободных экситонов мелкими ионизированными донорами (bD+X>> bD0X).
  1. А.А. Липник. ФТТ, 3, 2322 (1961)
  2. D. Magde, H. Mahr. Phys. Rev. B, 2, 4098 (1970)
  3. В.Л. Броуде, И.И. Тартаковский, В.Б. Тимофеев. ФТТ, 14, 3531 (1972)
  4. К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 36, 519 (2002)
  5. K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Semicond. Phys., Quant. Electron. and Optoelectron., 5, 353 (2002)
  6. G.W. Hooft, W.A. Poel, L.W. Molenkamp, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 35, 8281 (1987)
  7. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.