Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Воронина Т.И.¹, Лагунова Т.С.¹, Кижаев С.С.¹, Молчанов С.С.¹, Пушный Б.В.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 октября 2003 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены эпитаксиальные слои InAs, легированные Mg методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и изучены их электрические свойства. Легирование магнием InAs во время роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений позволяет получить сильно компенсированный p-InAs с предельной концентрацией дырок p~ 2· 10¹⁸ см^-3 и с низкой подвижностью носителей (mu~ 50 см²/В · с при T=300 K). При слабом уровне легирования Mg кристаллизуются слои InAs n-типа проводимости с высокой подвижностью по сравнению с нелегированными слоями n-InAs за счет связывания нейтральных примесей магнием.

П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975) с. 424
M. Kondo, C. Anayama, H. Sekiguchi, T. Tanahasni. J. Cryst. Growth, 141, 1 (1994)
A.W. Nelson, L.D. Westbrook. J. Cryst. Growth, 68, 102 (1984)
E. Veuhoff, H. Baumeister. J. Cryst. Growth, 105, 353 (1990)
E. Veuhoff, H. Baumeister, J. Rieger, M. Gorgel, R. Treichler. J. Electron. Mater., 20 (12), 1037 (1991)
R. Winterhoff, P. Raisch, V. Frey, W. Wagner, F. Scholz. J. Cryst. Growth, 195, 132 (1998)
G.J. Bauhuis, P.R. Hageman, P.K. Larsen. J. Cryst. Growth, 191, 313 (1998)
M. Ohkubo, J. Osabe, T. Shiojima, T. Yamaguchi, T. Ninomiya. J. Cryst. Growth, 170, 177 (1997)
Т.И. Воронина, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (10), 1168 (1999)
S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Y.P. Yakovlev. IEEE Proc. Optoelectron., 149 (1), 36 (2002)
А.Я. Шик. Письма ЖТФ, 20, 14 (1974)
L.R. Weisberg. J. Appl. Phys., 33 (5), 1817 (1962)
M.H. Cohen, J. Jorther. Phys. Rev. Lett., 30, 696 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель