"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Пушный Б.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Получены эпитаксиальные слои InAs, легированные Mg методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и изучены их электрические свойства. Легирование магнием InAs во время роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений позволяет получить сильно компенсированный p-InAs с предельной концентрацией дырок p~ 2· 1018 см-3 и с низкой подвижностью носителей (mu~ 50 см2/В · с при T=300 K). При слабом уровне легирования Mg кристаллизуются слои InAs n-типа проводимости с высокой подвижностью по сравнению с нелегированными слоями n-InAs за счет связывания нейтральных примесей магнием.
  1. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975) с. 424
  2. M. Kondo, C. Anayama, H. Sekiguchi, T. Tanahasni. J. Cryst. Growth, 141, 1 (1994)
  3. A.W. Nelson, L.D. Westbrook. J. Cryst. Growth, 68, 102 (1984)
  4. E. Veuhoff, H. Baumeister. J. Cryst. Growth, 105, 353 (1990)
  5. E. Veuhoff, H. Baumeister, J. Rieger, M. Gorgel, R. Treichler. J. Electron. Mater., 20 (12), 1037 (1991)
  6. R. Winterhoff, P. Raisch, V. Frey, W. Wagner, F. Scholz. J. Cryst. Growth, 195, 132 (1998)
  7. G.J. Bauhuis, P.R. Hageman, P.K. Larsen. J. Cryst. Growth, 191, 313 (1998)
  8. M. Ohkubo, J. Osabe, T. Shiojima, T. Yamaguchi, T. Ninomiya. J. Cryst. Growth, 170, 177 (1997)
  9. Т.И. Воронина, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (10), 1168 (1999)
  10. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Y.P. Yakovlev. IEEE Proc. Optoelectron., 149 (1), 36 (2002)
  11. А.Я. Шик. Письма ЖТФ, 20, 14 (1974)
  12. L.R. Weisberg. J. Appl. Phys., 33 (5), 1817 (1962)
  13. M.H. Cohen, J. Jorther. Phys. Rev. Lett., 30, 696 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.