Вышедшие номера
Геометрическая структура и спектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц
Курганский С.И.1, Борщ Н.А.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 8 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Представлены результаты оптимизации геометрической структуры и расчета электронной структуры кремниевых анионных кластеров Si12--Si16-. Для расчетов использовался полуэмпирический метод РМЗ. Рассматривались состояния с различной мультиплетностью (2S+1=2,4 и 6). Сопоставление результатов расчета с экспериментальными фотоэлектронными спектрами показало, что для кластеров Si12--Si14- хорошее согласие наблюдается для состояний с мультиплетностью 2. Для кластеров Si15- и Si16- с экспериментом согласуются спектры для мультиплетных состояний 4 и 2 соответственно.