Diffusion of Chromium in Thin Hydrogenated Amorphous Silicon Films
Persheyev S.K.1, Drapacz P.R.1, Rose M.J.1, Fitzgerald A.G.1
1Carnegie Laboratory of Physics, Electronic Engineering and Physics Division, University of Dundee, Dundee, DD1 4HN, Scotland, UK
Поступила в редакцию: 17 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
The diffusion of chromium bottom contact has been studied through thin 10 nm amorphous silicon film. The concentration of the diffused impurity has been analysed by an X-ray photon spectroscopy technique and the diffusion coefficient was estimated. Diffusion annealing was carried out in vacuum (10-6 mTorr), the temperature was kept at 400oC and annealing time varied from 0-300 min. The authors propose that diffusion of chromium in thin hydrogenated amorphous film limited by silicide formation at the metal-silicon interface.
- J. Hu, J. Hajto, A.J. Snell, A.E. Owen, M.J. Rose. Phil. Mag. B: Phys. Condens. Matter., 74 (1), 37 (1996)
- A. Kovsarian, J.M. Shannon, F. Cristiano. J. Non-Cryst. Sol., 276, 40 (2000)
- H. Matsumura, M. Maeda, S. Furukava. J. Non-Cryst. Sol., 59\&60, 517 (1983)
- A. Polman, D.C. Jacobson, S. Coffa, A. Poate. Appl. Phys. Lett., 57 (12), 1230 (1990)
- M.S. Ablova, G.S. Kulikov, S.K. Persheyev, K.K. Khodzhaev. Semiconductors, 24 (11), 1208 (1990)
- J. Crank. The mathematics of diffusion (Oxford, Clarendon Press, 1956) p. 58
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук