Вышедшие номера
Температурная зависимость электролюминесценции ионов Er в туннельных диодах на основе (111)-Si : (Er, O)
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

В диапазоне температур 80-300 K в режиме пробоя исследованы электролюминесценция и вольт-амперные характеристики туннельных диодов, полученных имплантацией ионов эрбия, кислорода и бора в (111) n-Si и последующим отжигом. Наблюдавшийся эффект температурного возгорания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия обусловлен термическим опустошением ловушек, захвативших дырки в n-области диода при низких температурах, которое приводит к изменению характеристик пробоя. Показано, что часть ловушек при низких температурах сохраняет захваченный положительный заряд и после снятия с диода напряжения. Это обусловливает своеобразный эффект памяти в исследованных структурах.