Температурная зависимость электролюминесценции ионов Er в туннельных диодах на основе (111)-Si : (Er, O)
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
В диапазоне температур 80-300 K в режиме пробоя исследованы электролюминесценция и вольт-амперные характеристики туннельных диодов, полученных имплантацией ионов эрбия, кислорода и бора в (111) n-Si и последующим отжигом. Наблюдавшийся эффект температурного возгорания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия обусловлен термическим опустошением ловушек, захвативших дырки в n-области диода при низких температурах, которое приводит к изменению характеристик пробоя. Показано, что часть ловушек при низких температурах сохраняет захваченный положительный заряд и после снятия с диода напряжения. Это обусловливает своеобразный эффект памяти в исследованных структурах.
- G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, В.И. Вдовин. ФТП, 33, 660 (1999)
- A.M. Emel'yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko. Appl. Phys. Lett., 72, 1223 (1998)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, В.И. Вдовин, А.Н. Якименко. Изв. АН. Сер. физ., 64, 348 (2000)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34, 1069 (2000)
- J. Bude, N. Sano, A. Yoshii. Phys. Rev. B, 45, 5848 (1992)
- W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova, H. Preier. J. Luminesc., 80, 9 (1999)
- Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Д.И. Крыжков, В.П. Кузнецов, W. Jantsch. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, 17--20 марта 2003) с. 330
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
