"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Сошников И.П.1, Крыжановская Н.В.1, Леденцов Н.Н.1, Егоров А.Ю.1, Мамутин В.В.1, Одноблюдов В.А.1, Устинов В.М.1, Горбенко О.М.2, Kirmse H.3, Neumann W.3, Bimberg D.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Humboldt University of Berlin, Berlin, Germany
4Technical University of Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 26 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Представленны результаты исследований структурных и оптических свойств гетероструктур на основе GaAs со слоями квантовых точек InAs, заращённых квантовыми ямами InGaAsN. Методами просвечивающей электронной микроскопии изучено влияние толщины слоя InGaAsN, а также содержания и распределения азота в нем на размеры нановключений и характер и плотность дефектов в структуре. Показано, что размеры нанодоменов InAs и констраст рассогласования постоянных решетки в структурах, содержащих азот, выше, чем в структурах, не содержащих азота. Продемонстрирована корреляция длины волны люминесценции с размерами и составом нанодоменов. Показана корреляция интенсивности излучения и плотности дефектов в структуре.
  1. N.N. Ledentsov. Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy. Springer Tracts in Modern Physics (Berlin Springer, 1999) v. 156, p. 81
  2. D. Gollub, M. Fischer, A. Forchel. Electron. Lett., 38, 1183 (2002)
  3. D.G. Deppe, D.L. Huffaker, Z. Zou, G. Park, O.B. Shchekin. IEEE J. Quant. Electron., 35, 1238 (1999)
  4. N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  5. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, D. Bimberg. Electron. Lett., 34, 670 (1998)
  6. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 37, 1143 (2003)
  7. H.A. Wonill, V. Gambin, B. Sank, M. Wistey, H. Yuen, L. Goddard, K. Seongsin, J. Harris. Abstracts Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (2002) v. 61, p. 89
  8. I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, O.M. Gorbenko, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, H. Kirmse, W. Neumann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol. (to be published)
  9. L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. Electron. Lett., 39, 519 (2003)
  10. И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП, 35, 361 (2001)
  11. I.P. Soshnikov, N.N. Ledentsov, B.V. Volovik, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, O.M. Gorbenko, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, V.M. Ustinov, H. Kirmse, W. Neumann, P. Werner, N.D. Zakharov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc 9th Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (2001) v. 1, p. 82

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.