Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства монокристаллов MnIn2S4
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 3 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
В монокристаллах MnIn2S4 исследованы температурная зависимость тока и вольт-амперные характеристики в различных условиях. Показано, что механизм токопрохождения в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен током, ограниченным пространственным зарядом. Определены энергия залегания и концентрации ловушек. Установлено, что монокристаллы MnIn2S4 являются сильно компенсированными полупроводниками.
- T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
- N.N. Niftiyev. Sol. St. Commun., 92, 781 (1994)
- Н.Н. Нифтиев. ФТП, 36, 836 (2002)
- К. Као, В. Хуанг (М., Мир, 1984) ч. 1
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
- Н.С. Грушко, Л.А. Герасименко, Т.И. Гоглидзе. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1982) с. 82
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- А.В. Маловичко, В.Г. Чалая, Е.Т. Шульга. УФЖ, 20, 209 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
