"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства монокристаллов MnIn2S4
Нифтиев Н.Н.1
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 3 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

В монокристаллах MnIn2S4 исследованы температурная зависимость тока и вольт-амперные характеристики в различных условиях. Показано, что механизм токопрохождения в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен током, ограниченным пространственным зарядом. Определены энергия залегания и концентрации ловушек. Установлено, что монокристаллы MnIn2S4 являются сильно компенсированными полупроводниками.
  1. T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
  2. N.N. Niftiyev. Sol. St. Commun., 92, 781 (1994)
  3. Н.Н. Нифтиев. ФТП, 36, 836 (2002)
  4. К. Као, В. Хуанг (М., Мир, 1984) ч. 1
  5. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  6. Н.С. Грушко, Л.А. Герасименко, Т.И. Гоглидзе. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1982) с. 82
  7. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  8. А.В. Маловичко, В.Г. Чалая, Е.Т. Шульга. УФЖ, 20, 209 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.