Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn₂S₄ и MnGa₂S₄

Нифтиев Н.Н.¹, Тагиев О.Б.¹

¹Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 23 мая 2003 г.

Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты исследования вольт-амперных характеристик I(U) монокристаллов MnIn₂S₄ и MnGa₂S₄ в темноте и под действием света. Вольт-амперная характеристика монокристалла MnIn₂S₄ в темноте содержит участки I propto U, I propto U² и I propto U³, а под действием света - I propto U, I propto U^3/2 и I propto U^2.5. Выявлено, что световой ток почти в 10⁴ раза больше темнового. В монокристаллах MnGa₂S₄ под действием света вольт-амперная характеристика имеет участки I propto U и I propto U^3/2. Дано объяснение этих зависимостей.

З. Метфессель, Д. Миттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
Р.Н. Бекимбетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
Р.Н. Бекимбетов, Н.Н. Константинова, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Изв. АН СССР. Неорг. матер. 24 (12), 1969 (1988)
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, А.Г. Рустамов. ФТП, 24, 758 (1990)
T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
N.N. Niftiev, O.B. Tagiev. Sol. St. Commun., 81, 693 (1992)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Мир, 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель