"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn2S4 и MnGa2S4
Нифтиев Н.Н.1, Тагиев О.Б.1
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 23 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Приводятся результаты исследования вольт-амперных характеристик I(U) монокристаллов MnIn2S4 и MnGa2S4 в темноте и под действием света. Вольт-амперная характеристика монокристалла MnIn2S4 в темноте содержит участки I propto U, I propto U2 и I propto U3, а под действием света --- I propto U, I propto U3/2 и I propto U2.5. Выявлено, что световой ток почти в 104 раза больше темнового. В монокристаллах MnGa2S4 под действием света вольт-амперная характеристика имеет участки I propto U и I propto U3/2. Дано объяснение этих зависимостей.
  1. З. Метфессель, Д. Миттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
  2. Р.Н. Бекимбетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
  3. Р.Н. Бекимбетов, Н.Н. Константинова, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Изв. АН СССР. Неорг. матер. 24 (12), 1969 (1988)
  4. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, А.Г. Рустамов. ФТП, 24, 758 (1990)
  5. T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
  6. N.N. Niftiev, O.B. Tagiev. Sol. St. Commun., 81, 693 (1992)
  7. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  8. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Мир, 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.