"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на основе соединения AgIn11S17
Боднарь И.В.1, Ильчук Г.А.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Методом Бриджмена (горизонтальный вариант) выращены кристаллы тройного соединения AgIn11S17. Проведены измерения кинетических коэффициентов и впервые созданы фоточувствительные структуры на основе полученных кристаллов. Определены фотоэлектрические параметры твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, оценена ширина запрещенной зоны для соединения AgIn11S17 и обсуждается характер межзонных переходов в этом соединении. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.
  1. И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 519 (2002)
  2. C. Rincon, S.M. Wasim, G. Marin, R. Marques. Book of Abstracts of 13 ICTMC (Paris, 2002) p. 83
  3. S.M. Wasim, G. Marin, C. Rincon, R. Marques, C. Torres, A. Rincon. Book of Abstracts of 13 ICTMC (Paris, 2002) p. 205
  4. N.M. Gasanly, A. Serpengurel, A. Audinly, O. Gurli, I. Vilmax. J. Appl. Phys., 85, 3198 (1999)
  5. S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yochida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
  6. J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (N. Y., Pergamon Press, 1975)
  7. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerskii, S. Wagner (Amsterdam, Elsevier, 1986)
  8. Н.Н. Ищенко, Л.Г. Старобинец, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 5, 132 (1977)
  9. Л.Г. Старобинец, Н.Н. Ищенко, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 1, 111 (1988)
  10. П.П. Киш, С.Т. Орловский. ЖАХ, 17, 1057 (1962)
  11. Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1963)
  12. Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1976)
  13. Ю.В. Рудь, М. Таиров. ФТП, 21, 615 (1987)
  14. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.