"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования
Тетельбаум Д.И.1, Ежевский А.А.1, Михайлов А.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Подробно исследованы зависимости от дозы концентрации парамагнитных центров с g=2.0055 при облучении кремния ионами Ge+, Ar+ и Ne+. Показано, что во всех случаях зависимости характеризуются (ранее не замеченным) наличием максимумов при дозах, соответствующих переходу к полной аморфизации. Эта особенность объяснена на основе модели, предполагающей дополнительный вклад в электронный парамагнитный резонанс от оборванных связей, расположенных на границе раздела нанокристаллов с аморфной матрицей.
  1. Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) с. 419. [Пер. с англ.: Amorphous semiconductors, ed. by M.H. Brodsky (Berlin--Heldelberg--N. Y., Springer Verlag, 1979)]
  2. Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Л.С. Смирнов. ФТП, 6 (6), 1111 (1972)
  3. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977) с. 256
  4. С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, А.А. Ежевский, М.Ю. Лебедев, С.Е. Акис, А.Х. Мухаматуллин, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова. Вестн. НГГУ. Сер. Физика твердого тела, 2 (5), 37 (2001)
  5. D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, A.Yu. Azov, A.K. Mukhamatullin, S.E. Akis, D.M. Gaponova. Mater. Sci. Eng. B (2003). (Принято к печати)
  6. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупровoдников (М., Энергия, 1975)
  7. Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983). [Пер. с англ.: H. Ryssel, I. Ruge. Ionen implantation, ed. by B.G. Teubner (Stuttgard, 1978) p. 304]
  8. Дж.Ф. Гиббонс. Тр. ин-та инженеров по электротехнике и радиоэлектронике, 60 (9), 53 (1972)
  9. Д.И. Тетельбаум, В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров, Е.А. Питиримова, А.В. Питиримов. Поверхность, 5, 34 (1988)
  10. Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, А.В. Питиримов. Изв. РАН. Сер. физ., 64 (11), 2168 (2000)
  11. А.В. Питиримов, Е.А. Питиримова, Д.И. Тетельбаум, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. Поверхность, 5--6, 11 (1999)
  12. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, Z.F. Krasil'nik, D.M. Gaponova, A.N. Mikhailov. Opt. Mater., 17 (1--2), 57 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.