Вышедшие номера
Экситонная рекомбинация около края подвижности в CdSe/ZnSe-наноструктурах
Валах М.Я.1, Лисица М.П.1, Стрельчук В.В.1, Вуйчик Н.В.1, Иванов С.В.2, Торопов А.А.2, Шубина Т.В.2, Копьев П.С.2
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в CdSe/ZnSe-наноструктурах с единичными CdSe-вставками номинальной толщиной 1.5 и 3.0 монослоя. Энергетическое положение полосы излучения определяется эффектом интердиффузии Cd и Zn в области вставки, а ее форма - сильным взаимодействием локализованных экситонов с оптическими фононами твердого раствора Zn1-xCdxSe-вставки. Заметную роль играют и многофононные процессы релаксации экситонов, в том числе с участием акустических фононов краев зоны Бриллюэна. Полученные результаты интерпретированы в рамках модели эффективного экситонного края подвижности.