"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экситонная рекомбинация около края подвижности в CdSe/ZnSe-наноструктурах
Валах М.Я.1, Лисица М.П.1, Стрельчук В.В.1, Вуйчик Н.В.1, Иванов С.В.2, Торопов А.А.2, Шубина Т.В.2, Копьев П.С.2
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в CdSe/ZnSe-наноструктурах с единичными CdSe-вставками номинальной толщиной 1.5 и 3.0 монослоя. Энергетическое положение полосы излучения определяется эффектом интердиффузии Cd и Zn в области вставки, а ее форма --- сильным взаимодействием локализованных экситонов с оптическими фононами твердого раствора Zn1-xCdxSe-вставки. Заметную роль играют и многофононные процессы релаксации экситонов, в том числе с участием акустических фононов краев зоны Бриллюэна. Полученные результаты интерпретированы в рамках модели эффективного экситонного края подвижности.
  1. S.H. Xin, P.D. Wang, A. Yin, M. Dombrowska, J.L. Merz, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett., 69, 884 (1996)
  2. F. Flack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A. Crowell, J. Shi, J. Levy, D.D. Awschalom. Phys. Rev. B, 54, 17 312 (1996)
  3. K. Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, F. Gindele, U. Woggon. Appl. Phys. Lett., 71, 1510 (1997)
  4. A.A. Toropov, S.V. Ivanov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, M. Willander, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. Jap. J. Appl. Phys., 38, 566 (1999)
  5. E. Cohen, M.D. Sturge. Phys. Rev. B, 25, 3828 (1982)
  6. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford, England, Oxford University Press, 1979) v. 2
  7. J. Hegarty, L. Goldner, M.D. Sturge. Phys. Rev. B, 30, 7346 (1984)
  8. S. Sorokin, T. Shubina, A. Toropov, I. Sedova, A. Sitnikova, R. Zolotareva, S. Ivanov, P. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 200/201, 461 (1999)
  9. C.S. Kim, M. Kim, S. Lee, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska, H. Rho, L.M. Smith, H.E. Jackson. J. Cryst. Growth, 214/215, 761 (2000)
  10. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998)
  11. A. Resnitsky, A. Klochikhin, S. Permogorov, I. Sedova, S. Sorokin, S. Ivanov, M. Schmidt, H. Kalt, C. Klingshirn. Proc. 10th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2002)
  12. I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, A.V. Sakharov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. J. Cryst. Growth., 184/185, 545 (1998)
  13. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  14. A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 214/215, 806 (2000)
  15. F. Gindele, K. Hild, W. Langbein, U. Woggon, K. Leonardi, D. Hommel, T. Kummell, G. Bacher, A. Forchel. J. Luminesc., 83--84, 305 (1999)
  16. R. Heitz, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68 (3), 361 (1996)
  17. S. Permogorov, A. Resnitsky, A. Klochikhin, L. Tenishev, W. von der Osten, H. Vogelsang, H. Stolz, M. Juette. J. Luminesc., 87--89, 435 (2000)
  18. R.G. Alonso, E.-K. Suh, A.K. Ramdas, N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 40, 3720 (1989)
  19. M.Ya. Valakh, M.P. Lisitsa, G.S. Pekar, G.N. Polisskii, V.I. Sidorenko, A.M. Yaremko. Phys. St. Sol. (b), 113, 635 (1982)
  20. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, 61, 16 015 (2000)
  21. D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov. Phys. Rev. B, 61, 16 819 (2000)
  22. M.Ya. Valakh, V.V. Strelchuk, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N. Mestres, J. Pascual, T.V. Shubina, G. Pozina, B. Monemar. Semicond. Sci. Technol., 17, 173 (2002)
  23. T.V. Shubina, M.Ya. Valakh, V.V. Strelchuk, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N. Mestres, J. Pascual, A. Waag, G. Landwehr. Proc. 10th Int. Conf. II--VI Compound, (Bremen, Germany, 2001) Mo-P60

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.