Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм)

Якимов А.И.¹, Двуреченский А.В.¹, Никифоров А.И.¹, Чайковский С.В.¹, Тийс С.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 10 января 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработан метод и изготовлены p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1.3-1.5 мкм на основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевой подложке. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1.2·10¹² см^-2, размеры точек в плоскости роста ~8 нм. Достигнута наименьшая из известных в литературе для фотоприемников Ge/Si величина темнового тока при комнатной температуре (2·10^-5 А/см² при обратном смещении 1 В). Получена квантовая эффективность 3% на длине волны 1.3 мкм.

V. Ryzhii. Semicond. Sci. Technol., 11, 759 (1996)
J. Phillips. J. Appl. Phys., 91, 4590 (2002)
L. Colace, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 76, 1231 (2000)
F.Y. Huang, X. Zhu, M.O. Tanner, K. Wang. Appl. Phys. Lett., 67, 566 (1995)
H. Presting, Thin Sol. Films, 321, 186 (1998)
C. Li, C.J. Huang, B. Cheng, Y. Zuo, L. Luo, J. Yu. J. Appl. Phys., 92, 1718 (2002)
M. Elcurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 80, 509 (2002)
M. Elcurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, G. Fishman, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes, G. Patriarche. J. Appl. Phys., 92, 1858 (2002)
S. Tong, J.L. Wan, K. Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1189 (2002)
D. Morris, N. Perret, S. Fafard. Appl. Phys. Lett., 75, 3593 (1999)
Y. Yoda, O. Moriwaki, M. Nishioka, Y. Arakawa. Phys. Rev. Lett., 82, 4114 (1999)
A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 62, 1540 (2000)
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 207
A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель