"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм)
Якимов А.И.1, Двуреченский А.В.1, Никифоров А.И.1, Чайковский С.В.1, Тийс С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Разработан метод и изготовлены p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1.3-1.5 мкм на основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевой подложке. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1.2·1012 см-2, размеры точек в плоскости роста ~8 нм. Достигнута наименьшая из известных в литературе для фотоприемников Ge/Si величина темнового тока при комнатной температуре (2·10-5 А/см2 при обратном смещении 1 В). Получена квантовая эффективность 3% на длине волны 1.3 мкм.
  • V. Ryzhii. Semicond. Sci. Technol., 11, 759 (1996)
  • J. Phillips. J. Appl. Phys., 91, 4590 (2002)
  • L. Colace, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 76, 1231 (2000)
  • F.Y. Huang, X. Zhu, M.O. Tanner, K. Wang. Appl. Phys. Lett., 67, 566 (1995)
  • H. Presting, Thin Sol. Films, 321, 186 (1998)
  • C. Li, C.J. Huang, B. Cheng, Y. Zuo, L. Luo, J. Yu. J. Appl. Phys., 92, 1718 (2002)
  • M. Elcurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 80, 509 (2002)
  • M. Elcurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, G. Fishman, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes, G. Patriarche. J. Appl. Phys., 92, 1858 (2002)
  • S. Tong, J.L. Wan, K. Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1189 (2002)
  • D. Morris, N. Perret, S. Fafard. Appl. Phys. Lett., 75, 3593 (1999)
  • Y. Yoda, O. Moriwaki, M. Nishioka, Y. Arakawa. Phys. Rev. Lett., 82, 4114 (1999)
  • A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 62, 1540 (2000)
  • Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 207
  • A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.