"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм)
Якимов А.И.1, Двуреченский А.В.1, Никифоров А.И.1, Чайковский С.В.1, Тийс С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Разработан метод и изготовлены p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1.3-1.5 мкм на основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевой подложке. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1.2·1012 см-2, размеры точек в плоскости роста ~8 нм. Достигнута наименьшая из известных в литературе для фотоприемников Ge/Si величина темнового тока при комнатной температуре (2·10-5 А/см2 при обратном смещении 1 В). Получена квантовая эффективность 3% на длине волны 1.3 мкм.
  1. V. Ryzhii. Semicond. Sci. Technol., 11, 759 (1996)
  2. J. Phillips. J. Appl. Phys., 91, 4590 (2002)
  3. L. Colace, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 76, 1231 (2000)
  4. F.Y. Huang, X. Zhu, M.O. Tanner, K. Wang. Appl. Phys. Lett., 67, 566 (1995)
  5. H. Presting, Thin Sol. Films, 321, 186 (1998)
  6. C. Li, C.J. Huang, B. Cheng, Y. Zuo, L. Luo, J. Yu. J. Appl. Phys., 92, 1718 (2002)
  7. M. Elcurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 80, 509 (2002)
  8. M. Elcurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, G. Fishman, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes, G. Patriarche. J. Appl. Phys., 92, 1858 (2002)
  9. S. Tong, J.L. Wan, K. Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1189 (2002)
  10. D. Morris, N. Perret, S. Fafard. Appl. Phys. Lett., 75, 3593 (1999)
  11. Y. Yoda, O. Moriwaki, M. Nishioka, Y. Arakawa. Phys. Rev. Lett., 82, 4114 (1999)
  12. A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 62, 1540 (2000)
  13. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 207
  14. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.