"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si на низкочастотное внутреннее трение и поведение эффективного модуля сдвига
Олейнич-Лысюк А.В.1, Бешлей Н.П.1, Фодчук И.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исследованы спектры низкочастотного внутреннего трения и поведение эффективного модуля сдвига Geff(T) в монокристаллическом кремнии, выращенном по методу Чохральского, после механической и химико-механической обработок поверхности и после естественного старения при комнатных температурах в течение длительного времени. Показано, что механическая обработка поверхности Si приводит к инициации необычных структурных фазовых превращений, сопровождающихся обратным гистерезисом зависимости Geff(T). Высказано предположение о том, что такое поведение Geff(T) связано с образованием несоразмерных фаз. Обнаружено также, что старение при комнатной температуре в течение более 10 000 ч приводит к началу распада пересыщенного твердого раствора кислорода в Si и возникновению в образцах существенных напряжений, инициирующих структурные фазовые превращения.
  1. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (Новосибирск, Наука, 1990)
  2. И.В. Крылова, А.Г. Петрухин. ФТП, 30, 415 (1996)
  3. М.В. Заморянская, В.И. Соколов. ФТТ, 40, 1984 (1998)
  4. В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Вегнер. Кислород в кристаллах кремния (Киев, Iнтерпрес ЛТД, 1997)
  5. Б.Ф. Борисов, Т. Краевский, А.К. Раджабов, Е.В. Чарная. ФТТ, 35, 241 (1993)
  6. О.Г. Влох, А.В. Китык, О.М. Мокрый, В.Г. Грибик. ФТТ, 33, 312 (1991)
  7. К.В. Чуистов. МФиНТ, 17, 7 (1995)
  8. И.М. Шмытько, А.Н. Изотов, Н.С. Афоникова, С. Виейра, Г. Рубио. ФТТ, 40, 746 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.