"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si на низкочастотное внутреннее трение и поведение эффективного модуля сдвига
Олейнич-Лысюк А.В.1, Бешлей Н.П.1, Фодчук И.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исследованы спектры низкочастотного внутреннего трения и поведение эффективного модуля сдвига Geff(T) в монокристаллическом кремнии, выращенном по методу Чохральского, после механической и химико-механической обработок поверхности и после естественного старения при комнатных температурах в течение длительного времени. Показано, что механическая обработка поверхности Si приводит к инициации необычных структурных фазовых превращений, сопровождающихся обратным гистерезисом зависимости Geff(T). Высказано предположение о том, что такое поведение Geff(T) связано с образованием несоразмерных фаз. Обнаружено также, что старение при комнатной температуре в течение более 10 000 ч приводит к началу распада пересыщенного твердого раствора кислорода в Si и возникновению в образцах существенных напряжений, инициирующих структурные фазовые превращения.
  • В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (Новосибирск, Наука, 1990)
  • И.В. Крылова, А.Г. Петрухин. ФТП, 30, 415 (1996)
  • М.В. Заморянская, В.И. Соколов. ФТТ, 40, 1984 (1998)
  • В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Вегнер. Кислород в кристаллах кремния (Киев, Iнтерпрес ЛТД, 1997)
  • Б.Ф. Борисов, Т. Краевский, А.К. Раджабов, Е.В. Чарная. ФТТ, 35, 241 (1993)
  • О.Г. Влох, А.В. Китык, О.М. Мокрый, В.Г. Грибик. ФТТ, 33, 312 (1991)
  • К.В. Чуистов. МФиНТ, 17, 7 (1995)
  • И.М. Шмытько, А.Н. Изотов, Н.С. Афоникова, С. Виейра, Г. Рубио. ФТТ, 40, 746 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.