"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний-на-изоляторе
Антонова И.В.1, Стучинский В.А.1, Наумова О.В.1, Николаев Д.В.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исходя из данных емкостной спектроскопии глубоких уровней в работе проведена оценка флуктуаций заряда на границе <отсеченный слой кремния>-<скрытый диэлектрик> в структурах кремний-на-изоляторе. Граница создана сращиванием кремния с термически окисленной подложкой. Определена величина флуктуаций заряда на границе, равная или превышающая значение (1.5-2.0)· 1011 см-2 на фоне заряда ~ 5· 1011 см-2 на данной границе. Показано, что флуктуации связаны скорее всего с отрицательным зарядом на поверхностных состояниях, а не с флуктуациями фиксированного положительного заряда в окисле.
  1. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  2. E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
  3. Полукристаллические полупроводники, под ред. Г. Харбеке (М., Мир, 1989)
  4. M.K. Weldon, Y.J. Chabal, D.R. Hamann, S.B. Christman, E.E. Chaban, L.C. Feldman. J. Vac. Sci. Technol., B14, 3095 (1996)
  5. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  6. K. Sakaguchi, N. Sato, K. Yamagata, T. Atoji, Y. Fujiyama, J. Nakayama, T. Yonehara. IEEE Trans. Electron., E80-C, 378 (1997)
  7. И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 36, 65 (2002)
  8. I.V. Antonova, O.V. Naumova, J. Stano, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Appl. Phys. Lett., 79, 4539 (2001)
  9. I.V. Antonova, J. Stano, O. Naumova, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Proc. Int. Conf. on Ion Implantation Technology (2000) p. 273
  10. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev. Microelectronic Eng. (в печати)
  11. J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
  12. K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
  13. S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and devices (Kluwer Academic Publishers, Boston-Dordrecht-London, 1995)
  14. V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.A. Franzusov, A.S. Mardegov, G. Feofanov. Mater. Sci. Eng., B73, 82 (2000)
  15. I.V. Antonova, V.P. Popov, J. Bak-Misiuk, J.Z. Domagala. J. Electrochem. Soc., 149, G490-G493 (2002)
  16. W. Schroter, V. Kveder, H. Hedemann. Sol. St. Phenomena, 82-84, 213 (2002)
  17. I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.P. Popov, J. Stano, V.A. Skuratov. J. Appl. Phys., 93, 426 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.