"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний-на-изоляторе
Антонова И.В.1, Стучинский В.А.1, Наумова О.В.1, Николаев Д.В.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исходя из данных емкостной спектроскопии глубоких уровней в работе проведена оценка флуктуаций заряда на границе <отсеченный слой кремния>-<скрытый диэлектрик> в структурах кремний-на-изоляторе. Граница создана сращиванием кремния с термически окисленной подложкой. Определена величина флуктуаций заряда на границе, равная или превышающая значение (1.5-2.0)· 1011 см-2 на фоне заряда ~ 5· 1011 см-2 на данной границе. Показано, что флуктуации связаны скорее всего с отрицательным зарядом на поверхностных состояниях, а не с флуктуациями фиксированного положительного заряда в окисле.
  • С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
  • Полукристаллические полупроводники, под ред. Г. Харбеке (М., Мир, 1989)
  • M.K. Weldon, Y.J. Chabal, D.R. Hamann, S.B. Christman, E.E. Chaban, L.C. Feldman. J. Vac. Sci. Technol., B14, 3095 (1996)
  • M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  • K. Sakaguchi, N. Sato, K. Yamagata, T. Atoji, Y. Fujiyama, J. Nakayama, T. Yonehara. IEEE Trans. Electron., E80-C, 378 (1997)
  • И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 36, 65 (2002)
  • I.V. Antonova, O.V. Naumova, J. Stano, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Appl. Phys. Lett., 79, 4539 (2001)
  • I.V. Antonova, J. Stano, O. Naumova, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Proc. Int. Conf. on Ion Implantation Technology (2000) p. 273
  • O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev. Microelectronic Eng. (в печати)
  • J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
  • K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
  • S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and devices (Kluwer Academic Publishers, Boston-Dordrecht-London, 1995)
  • V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.A. Franzusov, A.S. Mardegov, G. Feofanov. Mater. Sci. Eng., B73, 82 (2000)
  • I.V. Antonova, V.P. Popov, J. Bak-Misiuk, J.Z. Domagala. J. Electrochem. Soc., 149, G490-G493 (2002)
  • W. Schroter, V. Kveder, H. Hedemann. Sol. St. Phenomena, 82-84, 213 (2002)
  • I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.P. Popov, J. Stano, V.A. Skuratov. J. Appl. Phys., 93, 426 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.