"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоэдс полупроводникового p-n-гетероперехода
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1
1Институт физики им. Х.И. Амирxанова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Получены и исследованы "длинные" p-n-гетеропереходы Ge--GaAs. Измерена термоэдс гетероперехода в зависимости от разности температур на торцах от 10 до 180 K, при постоянной средней температуре, равной 300 K. Найдено, что при большом градиенте температуры эксперимент согласуется с теорией, учитывающей появление неосновных носителей за счет тепловой эмиссии.
  1. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  2. Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
  3. Н.С. Лидоренко, И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Коломoец. Докл. АН СССР, 272, 855 (1983)
  4. И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. ФТП, 29, 1796 (1995)
  5. И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах (Кишинев, Штиинца, 1992)
  6. R.H. Rediker, S. Stopek, J.H.R. Ward. Sol. St. Electron., 7, 621 (1964)
  7. R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
  8. М.М. Гаджиалиев, В.А. Елизаров. ФТП, 32, 1313 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.