"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефектообразование в решетке PbTe под воздействием лазерной ударной волны
Яковина В.С.1, Заячук Д.М.1, Берченко Н.Н.2
1Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2Жешувский университет, Жешув, Польша
Поступила в редакцию: 18 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исследованы механизм дефектообразования в тонких пленках PbTe на подложке BaF2 под действием обработки ударной волной и кинетика отжига при комнатной температуре возникающих при этом неравновесных дефектов кристаллической решетки. Оценена относительная роль реакций отжига 1-го и 2-го порядков в процессе установления равновесного состояния дефектов. Проанализированы вклады аннигиляциии пар Френкеля в обеих подрешетках кристаллической матрицы, а также выхода межузельных атомов на стоки в процесс изменения суммарной концентрации неравновесных дефектов на различных этапах их отжига.
  1. В.А. Янушкевич. Физика и химия обраб. матер., N 5, 9 (1975)
  2. Л.И. Иванов, Н.А. Литвинова, В.А. Янушкевич. Квант. электрон., 4, 204 (1977)
  3. P. Peyre, P. Merrien, H.P. Lieurade, R. Fabbro. Surf. Eng., 11, 47 (1995)
  4. М.В. Сильников, А.И. Михайлин, А.В. Петров, Ю.И. Мещеряков, В.А. Ермолаев, Н.С. Кочетова, С.М. Ушеренко. Письма ЖТФ, 26 (16), 77 (2000)
  5. Y.K. Zhang, C.L. Hu, L. Cai, J.C. Yang, X.R. Zhang. Appl. Phys. A, 72, 113 (2001)
  6. V.A. Gnatyuk, A.I. Vlasenko, P.O. Mozol', O.S. Gorodnychenko. Semicond. Sci. Technol., 13, 1298 (1998)
  7. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Б.Л. Горковенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль. ФТП, 34, 443 (2000)
  8. N.N. Berchenko, V.S. Yakovyna, Yu.N. Nikiforov, I.S. Virt. Proc. SPIE, 4355, 200 (2001)
  9. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
  10. Y. Nikiforov, V. Yakovyna, N. Berchenko. Mater. Sci. Eng. A, 288, 173 (2000)
  11. Д.М. Заячук, В.А. Шендеровський. Укр. физ. журн., 36, 1692 (1991)
  12. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках: экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.