Вышедшие номера
Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп
Покровский Я.Е.1, Хвальковский Н.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

В кремнии, легированном примесями B, Al, Ga, In, P, As, Sb в концентрациях 1016-1018 см-3, при низких температурах исследованы длинноволновые полосы поглощения парами примесей и фотопроводимость в микроволновом (8 мм) электрическом поле при примесном импульсном фотовозбуждении. Установлена корреляция между концентрацией пар и возникновением медленной компоненты релаксации фотопроводимости. Эта компонента связана с поляризационной прыжковой фотопроводимостью, возникающей в результате оптической перезарядки примесных состояний - ионизации изолированных примесей, примесей в парах и диполей (пар ионов основной и компенсирующей примесей). Проанализированы процессы прыжкового переноса заряда ионов в процессе релаксации. Показано, что основной вклад в поляризационную фотопроводимость при относительно небольших концентрациях дают прыжковые переходы в примесных парах, а при возрастании концентраций - прыжки с участием изолированных ионов.