"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп
Покровский Я.Е.1, Хвальковский Н.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

В кремнии, легированном примесями B, Al, Ga, In, P, As, Sb в концентрациях 1016-1018 см-3, при низких температурах исследованы длинноволновые полосы поглощения парами примесей и фотопроводимость в микроволновом (8 мм) электрическом поле при примесном импульсном фотовозбуждении. Установлена корреляция между концентрацией пар и возникновением медленной компоненты релаксации фотопроводимости. Эта компонента связана с поляризационной прыжковой фотопроводимостью, возникающей в результате оптической перезарядки примесных состояний --- ионизации изолированных примесей, примесей в парах и диполей (пар ионов основной и компенсирующей примесей). Проанализированы процессы прыжкового переноса заряда ионов в процессе релаксации. Показано, что основной вклад в поляризационную фотопроводимость при относительно небольших концентрациях дают прыжковые переходы в примесных парах, а при возрастании концентраций --- прыжки с участием изолированных ионов.
  • Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. Писма ЖЭТФ, 51, 377 (1990)
  • Ya.E. Pokrovskii, O.I. Smirnova. Material Science Forum, ed. by G. Davis (Trans. Tech. Publ., Zurich, 1990 v. 65--67, p. 271)
  • И.В. Алтухов, Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова и др. ФТП, 24, 1134 (1990)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во Петербургского ин-та физики им. К.И. Константинова РАН, 1997)
  • M. Pollak, T.M. Geballe. Phys. Rev., 122, 1724 (1961)
  • A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Progr. Phys., 44, 1278 (1981)
  • Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. ЖЭТФ, 103, 1411 (1993)
  • Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. ЖЭТФ, 102, 660 (1992)
  • Ya.E. Pokrovskii, N.A. Khvalkovskii. Phys. St. Sol.(c), No 1 (2003)
  • Таблицы физических величин (М., Атомгиз, 1976)
  • Sh.M. Kogan, A.F. Polupanov. Inst. Phys. Сonf. Ser., No 95, 527 (1988)
  • Л.Б. Лопатин, Я.Е. Покровский. ЖЭТФ, 87, 1381 (1984)
  • B. Baron, M.H. Young, Neeland, O.J. Marsh. Appl. Phys. Lett., 30, 694 (1977)
  • G.A. Thomas, M. Capizzi, F. DeRosa et al. Phys. Rev., 23, 5472 (1981)
  • Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова, Н.Ф. Хвальковский. ЖЭТФ, 122, 97 (2002)
  • W. Scott. Appl. Phys. Lett., 32, 540 (1978)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • R.K. Ray, H.Y. Fan. Phys. Rev., 121, 768 (1961).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.