"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп
Покровский Я.Е.1, Хвальковский Н.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

В кремнии, легированном примесями B, Al, Ga, In, P, As, Sb в концентрациях 1016-1018 см-3, при низких температурах исследованы длинноволновые полосы поглощения парами примесей и фотопроводимость в микроволновом (8 мм) электрическом поле при примесном импульсном фотовозбуждении. Установлена корреляция между концентрацией пар и возникновением медленной компоненты релаксации фотопроводимости. Эта компонента связана с поляризационной прыжковой фотопроводимостью, возникающей в результате оптической перезарядки примесных состояний --- ионизации изолированных примесей, примесей в парах и диполей (пар ионов основной и компенсирующей примесей). Проанализированы процессы прыжкового переноса заряда ионов в процессе релаксации. Показано, что основной вклад в поляризационную фотопроводимость при относительно небольших концентрациях дают прыжковые переходы в примесных парах, а при возрастании концентраций --- прыжки с участием изолированных ионов.
  1. Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. Писма ЖЭТФ, 51, 377 (1990)
  2. Ya.E. Pokrovskii, O.I. Smirnova. Material Science Forum, ed. by G. Davis (Trans. Tech. Publ., Zurich, 1990 v. 65--67, p. 271)
  3. И.В. Алтухов, Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова и др. ФТП, 24, 1134 (1990)
  4. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во Петербургского ин-та физики им. К.И. Константинова РАН, 1997)
  5. M. Pollak, T.M. Geballe. Phys. Rev., 122, 1724 (1961)
  6. A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Progr. Phys., 44, 1278 (1981)
  7. Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. ЖЭТФ, 103, 1411 (1993)
  8. Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. ЖЭТФ, 102, 660 (1992)
  9. Ya.E. Pokrovskii, N.A. Khvalkovskii. Phys. St. Sol.(c), No 1 (2003)
  10. Таблицы физических величин (М., Атомгиз, 1976)
  11. Sh.M. Kogan, A.F. Polupanov. Inst. Phys. Сonf. Ser., No 95, 527 (1988)
  12. Л.Б. Лопатин, Я.Е. Покровский. ЖЭТФ, 87, 1381 (1984)
  13. B. Baron, M.H. Young, Neeland, O.J. Marsh. Appl. Phys. Lett., 30, 694 (1977)
  14. G.A. Thomas, M. Capizzi, F. DeRosa et al. Phys. Rev., 23, 5472 (1981)
  15. Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова, Н.Ф. Хвальковский. ЖЭТФ, 122, 97 (2002)
  16. W. Scott. Appl. Phys. Lett., 32, 540 (1978)
  17. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  18. R.K. Ray, H.Y. Fan. Phys. Rev., 121, 768 (1961).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.