Вышедшие номера
Электролюминесценция в полуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1, Освальд И.2, Гулициус Э.2, Панграц И.2, Шимечек Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Prague 6, Czech Republic
Поступила в редакцию: 13 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Изучена излучательная рекомбинация вблизи разъединенной гетерограницы II типа p-GaInAsSb / p-InAs в интервале температур 4-100 K. Показано, что полоса электролюминесценции hnuA=0.37 эВ может быть приписана в большей степени рекомбинации электронов из полуметаллического канала вблизи интерфейса с участием глубокого акцепторного уровня на границе раздела, тогда как полоса hnuB=0.40 эВ отвечает за излучательные переходы в объеме InAs на мелкий природный акцептор. Участие интерфейсных состояний в рекомбинации через гетерограницу II типа GaInAsSb / InAs становится значительным за счет перекрытия волновых функций дырок, локализованных вблизи границы раздела со стороны твердого раствора, с волновыми функциями состояний на глубоком акцепторе.