"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция в полуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1, Освальд И.2, Гулициус Э.2, Панграц И.2, Шимечек Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Prague 6, Czech Republic
Поступила в редакцию: 13 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Изучена излучательная рекомбинация вблизи разъединенной гетерограницы II типа p-GaInAsSb / p-InAs в интервале температур 4-100 K. Показано, что полоса электролюминесценции hnuA=0.37 эВ может быть приписана в большей степени рекомбинации электронов из полуметаллического канала вблизи интерфейса с участием глубокого акцепторного уровня на границе раздела, тогда как полоса hnuB=0.40 эВ отвечает за излучательные переходы в объеме InAs на мелкий природный акцептор. Участие интерфейсных состояний в рекомбинации через гетерограницу II типа GaInAsSb / InAs становится значительным за счет перекрытия волновых функций дырок, локализованных вблизи границы раздела со стороны твердого раствора, с волновыми функциями состояний на глубоком акцепторе.
  • A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. SPIE. 1724, 2 (1992)
  • А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 375 (2001)
  • M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Tehnol., 9, 1279 (1994)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  • M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
  • Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 1216 (1997)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 215 (1998)
  • К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1438 (2000)
  • T.I. Voronina, T.S. Lagunova, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, S.A. Obukhov, Yu.P. Yakovlev. Superlatt. Microstruct., 24, 105 (1998)
  • Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов. О.Ю. Соловьева, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 658 (1997)
  • Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, 1996) v. 1
  • K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, T. Simecek, E. Hulicius, J. Oswald. J. Appl. Phys., 90, 2813 (2001)
  • K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovskii, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Surf. Sci., 482--485, 1083 (2001)
  • Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
  • G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki. J. Vac. Sci. Technol., 21, 531 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.