Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 10 » Статья стр. 1214
<<<>>>
Электролюминесценция в полуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1, Освальд И.2, Гулициус Э.2, Панграц И.2, Шимечек Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Prague 6, Czech Republic
Поступила в редакцию: 13 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
PDF версия
Изучена излучательная рекомбинация вблизи разъединенной гетерограницы II типа p-GaInAsSb / p-InAs в интервале температур 4-100 K. Показано, что полоса электролюминесценции hnuA=0.37 эВ может быть приписана в большей степени рекомбинации электронов из полуметаллического канала вблизи интерфейса с участием глубокого акцепторного уровня на границе раздела, тогда как полоса hnuB=0.40 эВ отвечает за излучательные переходы в объеме InAs на мелкий природный акцептор. Участие интерфейсных состояний в рекомбинации через гетерограницу II типа GaInAsSb / InAs становится значительным за счет перекрытия волновых функций дырок, локализованных вблизи границы раздела со стороны твердого раствора, с волновыми функциями состояний на глубоком акцепторе.
  1. A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. SPIE. 1724, 2 (1992)
  2. А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 375 (2001)
  3. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Tehnol., 9, 1279 (1994)
  4. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  5. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
  6. Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 1216 (1997)
  7. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 215 (1998)
  8. К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1438 (2000)
  9. T.I. Voronina, T.S. Lagunova, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, S.A. Obukhov, Yu.P. Yakovlev. Superlatt. Microstruct., 24, 105 (1998)
  10. Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов. О.Ю. Соловьева, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 658 (1997)
  11. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, 1996) v. 1
  12. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, T. Simecek, E. Hulicius, J. Oswald. J. Appl. Phys., 90, 2813 (2001)
  13. K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovskii, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Surf. Sci., 482--485, 1083 (2001)
  14. Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
  15. G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki. J. Vac. Sci. Technol., 21, 531 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme