Вышедшие номера
Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO2
Володин В.А.1, Ефремов М.Д.1, Никифоров А.И.1, Орехов Д.А.2, Пчеляков О.П.1, Ульянов В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Наноостровки германия, сформированные на поверхности Si с ориентацией (111), покрытой ультратонким слоем окисла, были исследованы с применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света. Для анализа экспериментальных данных проведены численные расчеты спектров для реальных островков, содержащих несколько сотен атомов германия. Обсуждены эффекты резонансного усиления интенсивности комбинационного рассеяния света в системе <наноостровок германия>-окисел-кремний и влияния латеральных размеров наноостровков на частоты локализованных в них фононов.