С использованием методов сканирующей туннельной микроскопии обнаружено, что пленка собственного оксида эпитаксиального n-GaAs (100) образована плотно смыкающимися между собой нанокластерами, состоящими из оксидов Ga, As и избыточного слоя As на интерфейсе Ga₂O₃ / n-GaAs. При этом фрактальная структура поверхности кластеров образована тремя уровнями подобных элементов зерновидной формы, пространственные размеры которых удовлетворяют соотношению 9:3:1. В трехмерном случае на одном "зерне" может располагаться около 6 меньших по размеру зерен. Было рассмотрено 2 возможных случая формирования фрактальной структуры кластеров. В первом случае, когда потоки количества веществ As₂O₃ и As по поверхности равны, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии As по поверхности кластера. Во втором, когда поток As превышает поток As₂O₃, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии Ga по поверхности кластера. Рост кластеров при нормальных условиях и, следовательно, увеличение толщины пленки оксида прекращаются, когда кластеры плотно смыкаются между собой. Это затрудняет диффузию реагентов через пленку оксида и протекание химических реакций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.