"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе
Торхов Н.А.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

С использованием методов сканирующей туннельной микроскопии обнаружено, что пленка собственного оксида эпитаксиального n-GaAs (100) образована плотно смыкающимися между собой нанокластерами, состоящими из оксидов Ga, As и избыточного слоя As на интерфейсе Ga2O3 / n-GaAs. При этом фрактальная структура поверхности кластеров образована тремя уровнями подобных элементов зерновидной формы, пространственные размеры которых удовлетворяют соотношению 9:3:1. В трехмерном случае на одном "зерне" может располагаться около 6 меньших по размеру зерен. Было рассмотрено 2 возможных случая формирования фрактальной структуры кластеров. В первом случае, когда потоки количества веществ As2O3 и As по поверхности равны, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии As по поверхности кластера. Во втором, когда поток As превышает поток As2O3, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии Ga по поверхности кластера. Рост кластеров при нормальных условиях и, следовательно, увеличение толщины пленки оксида прекращаются, когда кластеры плотно смыкаются между собой. Это затрудняет диффузию реагентов через пленку оксида и протекание химических реакций.
  1. M.P. Sinha, S. Mahapatra. Microelectronics J., 18 (2), 48 (1987)
  2. Н.А. Торхов, В.Г. Божков. Поверхность, 8, 100 (2001)
  3. А.В. Панин, Н.А. Торхов. ФТП, 34 (6), 698 (2000)
  4. А.В. Панин, А.П. Шугуров, А.Н. Пучкарева. Физическая мезомеханика, 3 (3), 53 (2000)
  5. L.M. Weegels, T. Saitoh, H. Kanbe. Appl. Phys. Lett., 66 (21), 2870 (1995)
  6. M. Somogyi. Cryst. Res. Technol., 17 (9), 1129 (1982)
  7. P. Alnot, F. Wyczisk, A. Friederich. Surf. Sci., 162, 708 (1985)
  8. R.P.H. Chang, S. Darack. Appl. Phys. Lett., 38 (11), 898 (1981)
  9. A. Kishimoto, I. Suemune, K. Hamaoka, T. Koui, Y. Honda, M. Yamanishi. Jap. J. Appl. Phys., 29 (10), 2273 (1990)
  10. T. Kimura, C. Yamada. Jap. J. Appl. Phys., 34 (3), 1498 (1995)
  11. N. Watanabe, T. Nittono, H. Ito, N. Kondo, Y. Nanishi. J. Appl. Phys., 73 (12), 8146 (1993)
  12. C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott, B. Schwartz. Sol. St. Sci. Technol., 127, 1366 (1980)
  13. M. Alonso, F. Soria. Sufr. Sci., 182, 530 (1987)
  14. F. Bartels, W. Monch. Sol. St. Commun., 57 (8), 571 (1986)
  15. B.R. Singh, O.P. Daga, M.K. Sharma, W.S. Kholke. INT. J. Electroniks, i (52), 3 (1982)
  16. И.Я. Миттова, С.С. Лаврушина, В.Р. Пшестанчик, О.Ю. Новикова. Неорг. матер., 12 (33), 1448 (1997)
  17. K. Watanabe, M. Hashiba, Y. Hirohata, M. Nishino, T. Yamashina. Thin Sol. Films, 56, 63 (1979)
  18. В.А. Кагадей, Д.И. Проскуровский, Л.М. Ромась. Микроэлектроника, 27 (3), 200 (1998)
  19. Н.А. Торхов. Тр. III Межд. конф. "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, Горный Алтай, 29 июля--3 августа 2002 г.) с. 301
  20. В.Л. Берковиц, А.Б. Гордеева, В.А. Кособукин. ФТТ, 43 (6), 985 (2001)
  21. I. Gerard, C. Debiemme-Chouvy, J. Vigneron, F. Bellenger, S. Kostelitz, A. Etcheberry. Surf. Sci., 433--435, 131 (1999)
  22. Е. Федер. Фракталы (М., Мир, 1991)
  23. M. Strome Mattsson, G.A. Niklasson, C.G. Granqvist. Phys. Rev. B, 54 (24), 17 884 (1996)
  24. П.А. Артюнов, А.Л. Толстихина. Микроэлектроника, 26, 426 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.